SK하이닉스, 'HBM3E' 세계 첫 대규모 양산…엔비디아에 납품

개발 7개월 만에 고객 공급 시작
"글로벌 1위 경쟁력 공고히 할 것"

SK하이닉스 가 5세대 고대역폭 메모리(HBM)인 ‘HBM3E’ D램을 본격 양산해 이달 말 가장 먼저 엔비디아에 납품한다. 엔비디아가 개발자 콘퍼런스에서 AI칩을 공개한 날, SK하이닉스가 이를 뒷받침할 첨단 메모리를 공급하겠다고 밝힌 것이다. HBM3에 이어 HBM3E도 세계 최초로 대규모 양산에 돌입, HBM 시장 주도권을 굳힌다는 계획이다.

SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 이달 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만이다.

회사 측은 "HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다"며 "AI 메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어 가겠다"고 밝혔다.

엄청난 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 AI 시스템을 구현하기 위해서는 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결하는 방식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다.

AI에 투자를 늘리고 있는 글로벌 빅테크(대형 정보기술 기업)들은 AI 반도체 성능 요구 수준을 계속 높여가고 있으며, HBM3E는 이를 충족시켜 줄 최적의 제품이라는 게 SK하이닉스의 설명이다.

SK하이닉스가 양산하는 HBM3E는 속도 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다는 게 자체 평가다. 이 제품은 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리한다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

AI 메모리는 극도로 빠른 속도로 작동해야 하는 만큼 효과적인 발열 제어도 중요하다. SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 공정을 적용해 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상했다.

MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다.

류성수 SK하이닉스 부사장은 "세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다"며 "그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 ‘토털 AI 메모리 프로바이더(Provider)’로서의 위상을 굳혀 나가겠다"고 강조했다.

대만 시장조사업체 트렌드포스는 올해 웨이퍼 기준 HBM 생산능력을 삼성전자 월 13만장, SK하이닉스 월 12만∼12만5000장으로 예측했다.

문채석 기자 chaeso@asiae.co.kr