삼성전자, IoT 시대 이끌 차세대 반도체 양산…"1000배 빠르다"

[아시아경제 안하늘 기자] 삼성전자가 사물인터넷(IoT) 기기들에 탑재되는 메모리 반도체의 속도를 1000배 이상 높이면서도 전력 소비를 크게 줄인 차세대 제품을 생산하는데 성공했다.

삼성전자는 6일 '28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 내장형 M램(eMRAM) 솔루션 제품을 출하했다고 밝혔다.

내장형 메모리는 사물인터넷(IoT) 기기 등 소형 전자 제품에 사용되는 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 하는 메모리 모듈이다. 주로 Flash를 기반으로 한 eFlash가 사용된다. 그러나 eFlash는 데이터를 기록할 때 먼저 저장돼있던 기존 데이터를 삭제하는 과정을 거치기 때문에 속도와 전력효율 측면에서 단점이 있었다.

삼성전자가 이번에 개발한 솔루션은 데이터 기록시 삭제 과정이 필요없고, 기존 eFlash보다 약 1000배 빠른 쓰기 속도를 구현한다. 비휘발성 특성도 지녀 전원이 꺼진 상태에서 저장된 데이터를 계속 유지해 대기 전력을 소모하지 않으며, 데이터 기록시 필요한 동작 전압도 낮아 전력 효율이 뛰어나다. 또한 eMRAM 솔루션은 단순한 구조를 가지고 있어 고객들의 설계 부담을 줄이고 생산비용 또한 낮출 수 있다.

이상현 삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 상무는 "신소재 활용에 대한 어려움을 극복하고 차세대 내장형 메모리 솔루션을 선보이게 됐다"며 "이미 검증된 삼성 파운드리의 로직 공정에 eMRAM을 확대 적용하여 차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성을 제공함으로써 고객과 시장의 요구에 대응해갈 것" 이라고 밝혔다.

한편 삼성전자는 6일 기흥캠퍼스에서 28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM 양산 제품의 첫 출하를 기념하는 행사를 가진다. 삼성전자는 올해 안에 1Gb eMRAM 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대해 차별화된 파운드리 경쟁력을 제공한다는 전략이다.

안하늘 기자 ahn708@asiae.co.kr