[삼성, 2세대 10나노 쾌거]'기술 초격차' 과시…"경쟁사보다 3년 앞서"

20나노 D램 대비 50% 이상 생산성 높아
1세대 10나노 공정 대비 속도 10% ↑, 소비전력 15% ↓
차세대 빅데이터, 인공지능(AI) 최적화
1세대 10나노 공정 비중 40% 넘어서, 내년 10나노대 D램 양산 체제로 돌입

삼성전자가 세계 최초로 양산을 시작하는 '1y나노 공정기반 8Gb DDR4 D램' 제품

[아시아경제 명진규 기자]　삼성전자가 '불가능의 영역'으로 불리던 10나노미터(nm) 벽을 깬지 22개월 만에 생산성을 30% 향상시킨 '2세대 10나노' 양산에 성공했다. 경쟁사 대비 3년 이상의 기술 초격차를 유지해 '반도체 초호황기'에 접어든 글로벌 시장에서 승기를 확실하게 다졌다는 평가다.

삼성전자는 20일 세계 최초로 '10나노급 2세대(1y나노) D램' 양산을 시작했다고 밝혔다. 2016년 2월 1세대(18나노) D램 양산을 시작한 뒤 21개월만이다. 미세공정은 고도화될수록 회로폭이 좁아지기 때문에 수많은 공정상의 난제에 접하게 된다. 20나노에서 10나노 공정으로 전환할 때보다 10나노 후반대에서 10나노 중반대로 미세화하기 위한 난이도는 2배 이상이다. 삼성전자 관계자는 "역대 최고 수준의 공정 개발 난제를 극북해 세계 최초로 10나노급 2세대 D램을 양산할 수 있게 됐다"면서 "극자외선(EUV) 노광장비 없이 공정을 구현해 생산성 역시 크게 높였다"고 말했다.

2세대 10나노 D램은 1세대 10나노 D램 대비 생산성이 30% 좋다. 1세대 10나노 공정 대비 속도는 10% 빠른 대신 소비전력은 15% 줄어든다. 빅데이터와 인공지능(AI) 등 4차 산업혁명에 최적화된 기술이라는 평가다.

현재 삼성전자는 전체 D램의 약 60%를 20나노대 공정, 40%를 1세대 10나노대 공정에서 생산하고 있다. 삼성전자는 2세대 10나노 D램의 본격 양산과 함께 20나노대 공정 비중을 급격하게 줄여 내년에는 사실상 10나노급 D램 양산 체제에 돌입할 계획이다. 경쟁사들이 10나노 공정 양산에 어려움을 겪고 있다는 점에서 기술 초격차를 더욱 굳힐 수 있게 된 셈이다. 삼성전자측은 "용량, 속도, 소비전력 효율이 2배 이상 향상되는 만큼 모바일, 서버 등 특화 시장에서의 지배력이 한층 높아질 것"이라고 말했다.

명진규 기자 aeon@asiae.co.kr