[아시아경제 권해영 기자] 삼성전자가 3차원(3D) V낸드플래시에 이어 3D D램의 세계 최초 양산에 성공하면서 '3차원 메모리 반도체 시대'를 주도한다. 특히 이번에 양산을 시작한 3D D램은 기존 D램보다 동작 속도는 2배 향상한 반면 소비전력은 2분의1 수준으로 절감한 게 특징이다.
삼성전자는 세계 최초로 3D 실리콘관통전극(TSV) 적층 기술을 적용한 64기가바이트(GB) 차세대 DDR4 서버용 D램 모듈 양산을 시작했다고 27일 밝혔다. 지난해 세계 최초로 3D V낸드플래시를 양산에 이어 이번에도 업계 최초로 DDR4 D램에 TSV 기술을 적용한 제품을 양산하면서 3D 메모리 반도체 시대를 주도하게 된 것이다.
이는 지난 2010년 세계 최초로 TSV 기반 D램 모듈을 개발한 후의 성과다. 삼성전자는 이번 64GB 대용량 서버용 DDR4 모듈과 올해 하반기 출시되는 글로벌 정보기술(IT) 업체들의 차세대 서버용 중앙처리장치(CPU)를 연계해 DDR4 신규시장을 적극 공략해 나갈 예정이다.
특히 TSV 기술을 적용해 지금까지는 D램에서 속도 지연 문제로 최대 4단까지 밖에 쌓지 못했던 기술 한계를 극복, 향후 더 많은 칩을 쌓을 수 있어 64GB 이상 대용량 제품을 양산할 수 있는 기반을 마련했다.
삼성전자는 하반기 서버 D램 시장이 DDR3 D램에서 DDR4 D램으로 전환되는 추세에 맞춰 3D TSV 기술을 적용한 64GB 이상의 고용량 DDR4 모듈도 출시할 예정이다.
권해영 기자 roguehy@asiae.co.kr
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