"삼성 D램 감산 폭 1분기 15%로 줄일 것"…반도체 봄바람 분다
올해 본격적으로 감산 폭 축소할 듯
D램 시장 정상화 중
1월 모바일 D램 가격 18~23% 상승 전망
하이닉스에 쫓겨 '조급한 판단'이란 지적도
삼성전자 삼성전자 close 증권정보 005930 KOSPI 현재가 266,000 전일대비 33,500 등락률 +14.41% 거래량 53,097,996 전일가 232,500 2026.05.06 15:30 기준 관련기사 코스피, 7300선 장 마감 '최고치'…6%대 급등 삼성전자 이사회 의장 "노사 모두 설 자리 잃는다"…학계 "AI 경쟁 중 10조 날릴 판" 코스피, 장중 7400선 위로…'27만전자' 도달(상보) 가 이르면 올해 1분기 중 D램 감산 폭을 크게 줄일 것이라는 전망이 나왔다. D램 가격이 최근 들어 지속적으로 오름세를 보이고 있는 데다 고부가 제품 중심으로 판매가 늘면서 시장 수요 대응에 나선 것이라는 분석이다. 지난해 4월 감산을 시작한 삼성전자가 약 1년 만에 정상화 수순을 밟을지 주목된다.
5일 관련 업계에 따르면 메리츠증권은 최근 보고서에서 "삼성전자가 1분기 안에 감산 폭을 35%에서 15% 수준까지 축소할 것"이라고 밝혔다. 감산 폭을 구체적인 수치로 언급한 보고서는 이번이 처음이다.
김선우 메리츠증권 파트장은 "삼성전자가 최근 예상보다 빠른 속도로 D램 감산 폭을 줄여나가는 것으로 추정된다"며 "16·17L(화성)뿐 아니라 P2·3(평택) 라인에서 1znm(10나노미터급)를 중심으로 웨이퍼 투입량을 늘리고 있다"고 설명했다. 반도체 제조에 쓰이는 웨이퍼 투입이 증가하면서 칩 생산도 늘어날 것이란 얘기다.
감산 폭 축소는 저전력 D램(LPDDR5) 수요가 이끌 것으로 보인다. 김 파트장은 "모바일 수요가 예상보다 강력하다"면서 "LPDDR5 수요가 빠르게 늘고 있다"고 설명했다.
삼성전자가 감산 폭을 줄이는 것은 최근 살아나는 반도체 시장에서도 상징적인 의미를 가질 것으로 보인다. 감산 축소는 시장이 정상화 수순을 밟고 있다는 의미로 해석할 수 있어서다. 삼성전자는 반도체 경기가 고꾸라지자 지난해 4월부터 주로 물량이 많은 범용(레거시) 제품을 중심으로 감산을 실시해왔다. 감산 효과로 반도체 가격은 같은 해 4분기 바닥을 찍고 상승세로 전환했다.
실제 D램 가격은 최근 들어 상승 기조를 이어가는 중이다. 트렌드포스에 따르면 올해 1월 모바일 D램과 낸드플래시 가격은 18~23%, PC D램은 10~15% 오를 것으로 전망된다. PC용 D램 범용과 메모리카드·USB향 낸드플래시 범용제품 모두 10월부터 3개월 연속 상승세를 보인 바 있다. 시장조사 업체 옴디아는 올해 1분기 D램 가격이 11% 오른다고 내다보기도 했다.
수출이 다시 늘고 있는 점 역시 전 세계 반도체 수요 회복의 시그널로 볼 수 있다. 재고조정을 마친 스마트폰과 PC 업체들은 최근 들어 D램 구입을 서두르는 모양새다. 지난 12월 우리나라의 반도체 수출 규모는 110억3000만달러(약 14조3000억원)로, 월간 기준 연간 최대 실적을 기록했다. 전년 동월 대비 21.8%, 전월인 11월보다도 15%가량 늘어난 수치다.
다만 삼성전자 가동률이 완전 정상화하기까진 시일이 걸릴 것으로 보인다. 상대적으로 가격이 낮고 재고가 많은 DDR4 등은 생산량 축소 기조를 유지할 것으로 전망된다. 낸드플래시도 아직 어려운 상황이다. 최근 D램과 같이 낸드 가격 역시 소폭 오르는 흐름을 보이고 있지만, 이는 수요 회복이 아닌 극단적인 공급량 감축에 따른 현상이라고 업계는 보고 있다. 올 하반기 IT(정보기술) 기기의 수요 심리 개선과 '온디바이스 AI' 탑재 스마트폰이 등장해야 낸드 감산은 본격적으로 논의될 것으로 추정된다.
삼성전자에 정통한 관계자는 감산 폭 축소 가능성에 대해 "매달 웨이퍼 투입량이 다르기 때문에 정확한 숫자를 말하기는 힘들 것"이라고 밝혔다.
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삼성전자는 올 한해 본격적으로 고부가 D램 비중을 확대하기 위해 시설투자를 확대할 것으로 보인다. 삼성전자는 반도체 불황이었던 지난해에도 반도체 부문에만 47조5000억원을 투입했다. 올해에는 지난해 개발한 32기가비트(Gb) DDR5 D램의 대량 양산에 집중하고 고대역폭메모리(HBM)3와 HBM3E 비중을 확대하며 시설투자 규모를 더 키울 것으로 전망된다.
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