삼성파운드리 新기술 '글로벌 반도체 심장부'서 내달 공개

美실리콘밸리 중심부 산타클라라서 2019 파운드리 포럼 개최

인텔·썬 마이크로시스템즈 등 반도체 기업 본사 둔 곳

팹리스 고객사·파트너사 등 관계자 수백명 초청, 사업 비전 제시

EUV 활용 미세공정기술 내세울 듯

지난해 열린 삼성 파운드리 포럼.

[아시아경제 안하늘 기자] 삼성전자가 미국 실리콘밸리 반도체 산업 심장부에서 파운드리 차세대 신공정 기술을 뽐낸다. 글로벌 파운드리 시장에서 대만 TSMC를 추격, 메모리 반도체 편중 현상을 해소하고 빠르게 성장 중인 비메모리 시장에서도 세계 최고 자리를 차지한다는 계획에서다.

12일 업계에 따르면 삼성전자는 다음달 14일 미국 캘리포니아 산타클라라에서 '2019 파운드리 포럼'을 개최한다.

실리콘밸리 중심부이자 인텔, 어플라이드 머리티얼즈, 썬 마이크로시스템, 아길렌트 테크놀로지 등 글로벌 반도체ㆍ하이테크 기업 본사가 위치한 산타클라라에서 삼성이 파운드리 사업 비전을 제시한다는 데 의미가 크다. 파운드리란 반도체의 설계 디자인을 전문으로 하는 기업으로부터 위탁받아 반도체를 생산하는 것을 말한다. 사물인터넷(IoT), AI, 자율주행 등 다양한 반도체에 대한 수요가 증가하면서 높은 성장률을 보이고 있다.

삼성전자는 이같은 파운드리 부문 성장성에 주목하고 있다. 삼성전자의 비메모리 부문 경쟁력이 메모리 부문 대비 상대적으로 약하기 때문이다. 실제 지난해 기준 삼성전자 전체 매출에서 파운드리를 포함한 비메모리 부문 비중은 15% 수준에 불과하다. 세계 반도체 시장에서 비메모리 반도체 비중은 75%에 달한다.

이재용 부회장이 지난 1월 화성사업장을 방문한 더불어민주당 원내지도부와의 비공개 간담회에서 "비메모리 분야인 시스템 반도체와 파운드리 사업을 미래 성장동력으로 육성시키겠다"며 2030년까지 세계 1위 자리를 차지하겠다는 목표를 밝힌 것도 이같은 배경에서다.

삼성전자는 올해 파운드리 포럼에서 극자외선 노광기(EUV)를 활용한 미세공정 기술을 전면에 내세울 것으로 알려지고 있다.

삼성전자 관계자는 "파운드리 분야에서의 경쟁력은 누가 더 세밀한 선폭으로 제품을 생산하느냐에 달려있다"며 "회로의 선폭 크기를 작게 할수록 똑같은 크기의 웨이퍼에서 더 많은 반도체를 만들 수 있어 생산성은 높아지고 가격은 저렴해진다"고 말했다.

삼성전자는 올 하반기 세계 최초로 EUV를 활용한 7나노(nm) 제품 대량 생산에 돌입, TSMC에 대한 추격의 고삐를 더욱 바짝 당길 계획이다. 삼성전자는 올 1분기 파운드리 시장에서 20% 가깝게 점유율을 끌어 올렸다. 지난해 상반기(7.4%)보다 11%포인트(p) 이상 오른 19.1%를 기록 대만 TSMC에 이어 2위를 차지했다. 같은 기간 TSMC는 56.1%에서 8%p 하락한 48.1%를 기록했다.

업계에서는 TSMC의 시장 점유율 하락에도 불구 여전히 시장ㆍ기술 경쟁력을 유지하고 있다는 분석이 나온다. TSMC는 지난해 2분기 불화아르곤(ArF) 기반 노광 기술을 활용, 7나노 대량 생산 체제를 갖추고 화웨이와 애플에 7나노 공정 제품을 제공한 바 있다. 아울러 TSMC는 내년 중 EUV 장비를 활용해 5나노 공정 제품도 생산한다는 계획이다.

이에 따라 삼성전자는 TSMC의 ArF 공정보다 20% 이상 생산성이 높은 EUV 장비를 통해 고객사를 확보한다는 방침이다. 삼성전자는 지난해 2월 퀄컴과 7나노 EUV 공정 기반으로 5G 통신칩 생산 분야에서 협력한데 이어 12월에는 IBM의 고성능 CPU를 7나노 EUV 공정으로 생산하는 계약도 체결한 바 있다. 올 하반기 약 7조원을 투입한 화성 새 반도체 공장이 완공될 경우 본격적으로 대량생산이 가능해진다.

업계 관계자는 "TSMC와 삼성전자는 차세대 기술 경쟁을 벌이고 있다"며 "삼성전자는 내년까지 3나노 공정 개발을 마치고 2021년 대량 생산에 돌입, TSMC와 생산 부문에서도 경쟁을 가속화할 것"이라고 말했다.

안하늘 기자 ahn708@asiae.co.kr