SK하이닉스, 엔비디아 행사서 차세대 'HBM4' 성능 소개

엔비디아 'GTC 2024'서 영상 발표

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 차세대 제품이 될 HBM4 세부 성능을 공개했다. HBM4는 올해 본격적으로 공급되는 HBM3E 대비 대역폭이 40% 확장되고 전력 소모는 70% 수준으로 줄어들 전망이다.

SK하이닉스 이천 캠퍼스 모습 / [사진제공=SK하이닉스]

SK하이닉스는 18일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 엔비디아 인공지능(AI) 개발자 콘퍼런스 'GTC 2024'에서 영상으로 마련된 특별 세션을 통해 HBM 기술 수준과 제품별 세부 스펙을 소개했다.

HBM은 여러 개 D램을 쌓아 대역폭을 확 키운 고성능·고용량 D램이다. 대역폭은 일정 시간에 전송할 수 있는 데이터 처리량으로, 대역폭이 커질수록 더 많은 데이터를 빠르게 전송할 수 있다.

SK하이닉스는 앞으로 선보일 HBM4 성능이 HBM3E 대비 여러 부분에서 좋아질 것이라 예고했다. HBM4 대역폭은 HBM3E 대비 1.4배 확장되고 전력 효율은 0.7배 개선된다는 게 회사 설명이다. 쌓는 D램의 수는 16개로 16단 HBM4를 만나볼 수 있을 전망이다.

성능을 높이기 위해선 새롭게 '하이브리드 본딩'을 적용한다. 하이브리드 본딩은 D램을 쌓을 때 칩과 칩 사이에 전기가 통하도록 두는 전도성 돌기(범프)를 없애고 칩들을 바로 붙이는 제조 방식이다.

SK하이닉스는 앞으로 HBM 쓰임새를 늘리겠다는 계획도 밝혔다. 인공지능(AI) 서버에 주로 쓰이는 HBM 활용도를 키워 전장 시장으로까지 확대한다는 내용이다.

한편 삼성전자는 내년에 HBM4를 선보인다는 계획을 밝힌 상태다. SK하이닉스와 마찬가지로 하이브리드 본딩 방식으로 HBM4를 제조하기 위해 기술을 개발하고 있다.

새너제이(미국)=김평화 기자 peace@asiae.co.kr