14일 니혼게이자이 신문은 엘피다가 표면적 50스퀘어밀리미터 이하의 초소형 모바일 D램을 개발했다고 보도했다. 메모리셀을 제외한 표면적은 기존 제품의 절반 정도이며, 글로벌 D램시장 선두주자인 삼성전자의 저전력 반도체보다도 약 15~20% 정도 작다. 이번 D램은 최첨단 기술을 사용해 40나노미터 선폭으로 생산했다.
엘피다는 초소형 D램 개발로 하나의 실리콘웨이퍼에서 더 많은 D램을 생산하게 됨에 따라 경쟁 업체들과의 가격 경쟁에서 우위에 서게 됐다.
다음달 D램 샘플을 출하하며, 오는 7월부터 히로시마 공장에서 대량생산에 들어간다. 엘피다는 내년 3월31일로 마감되는 올해 회계연도에 초소형 D램을 월 3만개 생산할 계획이다. 이는 히로시마 공장 총 생산량의 20% 이상을 차지하는 규모다.
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