인텔, 3.7조원 투자한 美오리건 반도체 증설 시설 '모드3' 가동

[아시아경제 정현진 기자] 미국 반도체 업체 인텔이 3년간 30억달러(약 3조7000억원)를 투입해 만든 오리건주 공장 내 새로운 시설을 공개했다. 인텔은 대규모 클린룸을 확장한 이 공장을 주축으로 첨단 공정 개발에 속도를 내 반도체 연구개발(R&D) 분야에서 미국의 리더십을 만들어나가겠다고 밝혔다.

인텔은 11일(현지시간) 오리건주 힐스보로에 있는 공장 D1X 팹의 증설 시설인 모드3(Mod3)의 가동 시작을 기념하는 행사를 진행했다. 이날 행사에는 팻 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO)를 비롯한 인텔 경영진과 케이트 브라운 오리건 주지사, 미 정계 인사까지 참석했다.

인텔은 지난 3년간 D1X 팹의 증설을 위해 모드3에 30억달러 이상을 투입했다. 이를 통해 차세대 실리콘 프로세스 기술을 개발할 수 있는 27만제곱피트의 클린룸이 마련됐고 인텔은 이를 통해 생산능력의 20%를 확대하는 것을 목표로 하고 있다. 인텔은 모드3의 클린룸 면적이 미식축구경기장 4개를 합친 수준이라고 설명했다.

인텔은 지난 50년간 오리건 지역에 520억달러의 투자를 단행했다. 오리건주 힐스보로에 있는 인텔 공장은 글로벌 기술 개발 본부로서 인텔의 제품 로드맵을 뒷받침하고 각종 기술을 만들어내는 역할을 맡고 있다. 현재 힐스보로 지역에 있는 인텔의 4개 캠퍼스에는 2만2000여명이 근무하고 있다. 인텔은 이날 모드3 공개와 함께 500에이커(약 202만㎡) 규모의 이 캠퍼스 이름을 창업자의 이름을 딴 '고든 무어 파크'로 명명하겠다고 밝혔다.

겔싱어 CEO는 "인텔은 창설 이래로 '무어의 법칙'을 끊임없이 발전시키는 데 노력해왔다"면서 "이 공장은 인텔의 IDM 2.0 전략을 지원하는 데 필요한 가속화된 프로세스 로드맵을 제공하는 능력을 강화할 것"이라고 말했다. 겔싱어 CEO는 취임 한달만인 지난해 3월 IDM 2.0 전략을 발표, 파운드리(반도체 위탁생산) 사업 재개를 선언했으며 이후 2025년부터 1.8㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m) 공정에서 제품을 생산해 대만 TSMC, 삼성전자를 따라잡겠다고 발표한 바 있다. 외신들은 D1X 모드3가 이 로드맵 목표 달성을 가속화할 것이라고 전했다.

앤 켈러 인텔 수석 부사장은 "반도체는 미국 기술 리더십과 경제, 공급망 탄력성의 핵심"이라면서 "인텔은 프로세서와 패키징 R&D의 주도권을 쥐고 미국에서 대량의 첨단 공정 반도체를 생산하는 유일한 회사"라고 강조했다.

정현진 기자 jhj48@asiae.co.kr