숭실대학교는 전자정보공학부 유건욱 교수 연구팀과 버지니아대학교 이규상 교수팀의 공동연구 결과가 국제 학술 논문지에 게재됐다고 25일 밝혔다.


(좌)유건욱 숭실대 전자정보공학부 교수 (우)양정용 연구원/사진=숭실대학교

(좌)유건욱 숭실대 전자정보공학부 교수 (우)양정용 연구원/사진=숭실대학교

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공동연구팀의 'GaN/α-In2Se3 HEMT를 이용한 재구성 가능한 뉴로모픽 컴퓨팅 소자 개발' 연구 결과는 국제학술 상위 논문지 ACS NANO(IF. 18.027, JCR 5.652%)에 게재됐다.

공동연구팀에 따르면 이번 연구는 GaN 기반의 고 이동도 트랜지스터에 강유전성 반도체라는 물질을 도입하고 새로운 구조를 적용해 기존의 연구들에 비해 뛰어난 성능을 얻을 수 있었다.


또, 인간의 시냅스 행동을 모방한 뉴로모픽 컴퓨팅에 처음으로 GaN HEMT 트랜지스터를 사용해 앞으로 고주파와 전력반도체에서 뉴로모픽 컴퓨팅 응용이 가능하다는 것을 보였다.

유 교수는 "빠른 펄스 신호를 통해 소자의 특성을 제어할 수 있게 됨으로써 재구성할 수 있는 HEMT 소자의 가능성을 제시했다"며 "현재 집적화 가능한 소자 구조 및 공정을 연구하는 중이며 향후 지능적 고주파 회로 및 전력반도체 응용이 가능할 것으로 기대된다"고 말했다.

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양정용 연구원은 "해당 연구를 바탕으로 미국 박사과정에 진학해 고주파 신호를 처리할 수 있는 재구성 가능한 고 이동도 트랜지스터에 대해 실용성 있는 연구를 이어 나가겠다"고 전했다.


황서율 기자 chestnut@asiae.co.kr

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