[단독]삼성전자, 6세대 D램 조기개발…'퀀텀점프' 노린다

오는 6월까지 1c 개발 성공 목표
성공시 경쟁사들과 '초격차' 더 벌릴 듯

[이미지출처=연합뉴스]

단독[아시아경제 김진호 기자] 삼성전자 가 오는 6월까지 10나노 초반대 D램인 1c(6세대·11~12나노급) 개발을 성공적으로 마무리한다는 목표를 설정한 것으로 확인됐다. 1b(5세대·12~13나노급) 개발에 대한 '기술력 우려'를 깔끔히 지우는 동시에 이른바 '퀀텀점프(대도약)'로 세계에 삼성의 '초격차' 전략을 재확인시키겠다는 각오로 읽힌다.

14일 아시아경제 취재 결과 삼성전자 에서 반도체 개발을 맡고 있는 반도체연구소는 1c에 대한 연구개발(R&D)을 반드시 성공해야 한다는 내부 지침을 정한 것으로 확인됐다.

앞서 삼성전자 는 최근 반도체 연구를 진행하던 임직원들을 대상으로 1b 개발의 '스킵·드롭(포기)' 안내를 공지한 바 있다. 내부 사정에 정통한 관계자는 "통상 여러 세대에 대한 반도체 개발을 동시에 진행하는 구조"라며 "1b 개발이 무산됨에 따라 1c는 무조건 확보하는 방안이 추진되고 있는 상황이다"고 전했다.

삼성전자 가 1b 포기 결정 이후 곧바로 1c 개발을 서두르는 것은 SK하이닉스와 마이크론 등 후발주자와의 간격을 더욱 벌리려는데 목적이 있다. 경쟁사보다 길게는 5년, 짧게는 1~2년 앞선 압도적 기술력과 낮은 원가로 30년간 시장을 평정해온 삼성의 '초격차' 전략을 이어가겠다는 의지로 풀이된다.

실제 삼성전자 는 과거 28나노 D램 양산을 포기하고 곧바로 25나노로 점프한 전례가 있다. 당시보다 훨씬 정밀화된 10나노 급에서는 쉽지 않다는 분석이 많으나, 삼성전자 가 1b, 1c 등 여러 세대를 동시에 개발한 점 그리고 개발 시한을 6월로 못 박은 점을 볼때 실현 가능성이 높다고 판단한 것으로 분석된다.

1a(4세대·10나노급) D램 양산 과정에서 '최초' 타이틀을 뺏긴 점도 삼성전자 입장에서는 1c 성공에 거는 기대감이 클 수밖에 없다. 당시 미국의 마이크론과 SK하이닉스가 더욱 빨리 양산에 성공해 삼성전자 입장에서는 자존심을 구겼다는 평가가 나왔다. 다만 삼성전자 는 두 경쟁사보다 더 얇은 1a D램 양산에 성공했다.

한편 D램은 회로 선폭(트렌지스터 게이트의 폭)을 좁히는 것이 관건이다. 선폭이 좁을수록 웨이퍼 한 장에서 나오는 D램 생산량이 늘어나기 때문이다. 일반적으로 4세대인 1a D램은 3세대(1z)와 비교해 25% 높은 생산량을 보인다. 제품 성능과 소비전력도 함께 개선되는 효과를 얻을 수 있다.

업계의 한 관계자는 " 삼성전자 가 1c 개발에 성공할 경우 생산성과 원가경쟁력 차원에서 높은 수익을 얻게될 것"이라며 "1b 개발을 중도 포기한 만큼 1c 개발 성공을 위해 모든 인력과 자원을 총투입할 것으로 보인다"고 말했다.

김진호 기자 rplkim@asiae.co.kr