“PLUS Global HBM半导体”3年收益率位居半导体ETF第1
三星电子、SK海力士、美光持仓占比达75%至80%
Hanwha Asset Management表示，其“PLUS Global HBM半导体”交易型开放式指数基金（ETF）在韩国半导体ETF产品中（不含杠杆与反向产品），3年收益率位居第1，截至21日已创下纪录。
根据Fn Spectrum数据，截至前一日，在半导体投资ETF中，最近3年累计收益率在500%以上的产品（不含杠杆与反向产品）共有3只，其中，“PLUS Global HBM半导体”ETF的3年收益率为676.67%，最高。
ETF所纳入成分股的股价走势为收益率提供了有力支撑。以最近3个月为基准，SK海力士上涨92.9%，三星电子上涨54%，美光（Micron）上涨71%，闪迪（SanDisk）上涨114.2%。以最近1年为基准，SK海力士上涨812.2%，三星电子上涨427.8%，美光上涨646.2%，闪迪上涨3365.8%，涨势强劲。
PLUS Global HBM半导体ETF对涵盖HBM、DRAM、NAND闪存及存储设备在内的全球存储半导体全产业链进行分散投资。其核心成分股为全球三大存储厂商三星电子、SK海力士和美光，这三只股票约占整个投资组合的75%至80%。
在本月的定期再平衡中，该ETF进一步扩充了投资组合。新纳入闪迪以强化对NAND闪存的敞口，并将Teradyne和Techwing等存储测试与后工序设备股也纳入其中。
此外，投资者若通过个人型退休养老金账户（IRP）和养老金储蓄账户投资该ETF，可享受税收优惠。在养老金账户中，可实现递延纳税效果，55岁以后以养老金形式领取时，将按相对较低的养老金所得税税率（3.3%~5.5%）征税，从而实现节税效果。
Hanwha Asset Management ETF事业本部长 Geum Jeongseop表示：“人工智能基础设施投资正从以图形处理器（GPU）为中心，向高带宽内存（HBM）、服务器DRAM和数据中心NAND闪存扩散”，“本ETF从以HBM和DRAM为核心，进一步将投资范围扩展至NAND闪存及存储设备，旨在通过一只产品覆盖由人工智能驱动的存储半导体超级周期的各个阶段。”
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