向SEC非公开提交注册申报书
以年内完成ADR上市为目标推进
通过增发新股筹措AI半导体投资资金
SK海力士已启动赴美上市的正式程序。自去年12月首次公开正在研究上市事宜以来，时隔约4个月向美国证券交易委员会（SEC）提交了注册申报书，正式迈出步伐。公司计划借此顺应人工智能（AI）半导体热潮，筹集大规模投资资金，并进一步提升企业价值。
4个月即进入执行阶段，“增发新股”呼声最高
SK海力士25日通过公告称，为在美国挂牌美国存托股票（ADR），已于24日（当地时间）向美国证券交易委员会（SEC）以非公开方式提交了注册申报书（Form F-1）。SK海力士表示：“正以2026年年内上市为目标推进相关工作，最终是否上市将综合考虑市场状况和询价结果后决定。”不过，公司同时指出，公开发行规模、方式、时间表等细节尚未最终确定。
SK海力士推动赴美上市一事，是在去年12月相关公告发布后浮出水面的。当时公司方面表示，“正在研究利用库藏股赴美上市等多种提升企业价值的方案，但尚无最终确定事项”。此后，本月16日（当地时间），SK集团会长Chey Taewon在美国加利福尼亚州圣何塞举行的英伟达年度开发者大会“GTC 2026”现场，亲自提及正在研究ADR上市事宜，使之正式化。Chey会长称：“正在研究ADR上市”，“不仅能触达韩国股东，还可以面向美国及全球股东曝光，从而成为更加全球化的公司”。
在上市方式上，“增发新股”被普遍认为最为有力。SK海力士原本积极研究利用自家库藏股挂牌ADR的方案，但市场上批评其意在规避库藏股注销义务的舆论日益高涨，公司遂于上月9日注销了相当于总股本2.1%、规模达12.24万亿韩元的库藏股。随着可动用库藏股事实上耗尽，业内预计此次赴美上市将采用增发新股的方式推进。据悉，新股发行规模约为总股本的2.4%。
刷新历史最高业绩，亟需扩大AI投资
业内普遍认为，SK海力士此次推动赴美上市，旨在在高速增长的AI半导体市场中保持投资竞争力。筹集到的资金预计将投入高带宽存储器（HBM）等尖端存储器产能扩充，以及强化在全球AI半导体市场的主导权。SK海力士社长Kwark Nojeong当天在京畿道利川总部召开的股东大会上表示：“我们已成功完成HBM4技术开发，并抢先构建了量产基础，在下一代HBM领域也持续保持行业技术领先地位”，“在NAND方面，我们开发出了业界层数最高的321层QLC产品，再次突破技术极限，并正与全球客户及合作伙伴推进多种合作，以开发适配AI时代的下一代存储产品”。
市场认为，此次赴美上市不仅是单纯的资金筹措，更将成为SK海力士从一家主要在韩国股市交易的存储半导体企业，转型为全球AI基础设施企业、重塑市场地位的契机。若SK海力士登陆美国股市，有望拓宽与全球机构投资者及大型信息技术企业（Big Tech）合作伙伴的接触面，实现投资者基础多元化。尤其是作为英伟达核心HBM供应商，公司将获得机会，向全球资本市场直接展示其在AI半导体价值链中的地位。
Kwark代表表示：“凭借在存储器全领域的世界顶级技术实力和较高的客户信赖，我们去年实现了97.1467万亿韩元的销售额和47.2063万亿韩元的营业利润，创下历史最高业绩”，“随着市场对公司成长性的信任不断提升，股价突破100万韩元，市值突破700万亿韩元。”
公司方面表示，关于赴美上市，将在今后具体事项最终确定之时，或在6个月内再次发布公告。
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