SK海力士在美国OCP大会上公布下一代NAND存储产品战略

by Kim HyeongMin

Published 27 Oct.2025 09:25(KST)

AI优化“Ain Family”产品线亮相
为扩大生态举办“HBF Night”活动
“在下一代NAND存储领域也将实现增长”

SK海力士27日表示，公司于本月13日至16日（当地时间）在美国加利福尼亚州圣何塞举行的“2025开放计算项目（Open Compute Project，OCP）全球峰会”上发布了下一代闪存存储产品战略。

在美国加利福尼亚州圣何塞举行的 OCP 全球峰会上 SK海力士的发布会现场。SK海力士提供

OCP全球峰会是由全球最大规模的开放式数据中心技术协作组织OCP主办的全球性活动，分享为实现未来数据中心环境而开发的最新半导体技术与成果。

SK海力士在会上展示了新一代闪存存储新品阵容“AIN家族（AIN Family）”。随着人工智能（AI）推理市场的快速增长，闪存存储的需求和关注度大幅提升。为快速、高效地处理海量数据，必须配备高性能的存储装置，即优质的闪存存储。

负责企业级固态硬盘（eSSD）产品开发的副社长Kim Cheonseong以发表人身份登台，介绍了AIN家族。AIN是“AI-NAND”（人工智能-闪存）的缩写。Kim副社长表示，AIN家族汇集了在性能、带宽和容量三大方面分别实现最优化的闪存解决方案产品，是一条兼顾提升数据处理速度和最大化存储容量的产品线。

AIN家族由AIN P、AIN D、AIN B三款产品构成。AIN P中的P代表性能（Performance），可高效处理大规模AI推理环境中产生的海量数据读写，最大限度减少AI运算与存储之间的瓶颈，大幅提升处理速度和能效。为此，公司正以全新架构设计闪存与控制器，并计划于明年年底推出样品。

AIN D中的D代表密度（Density），是一款着眼于以低功耗、低成本方式存储海量数据的高容量解决方案，被评价为适合用于存放AI数据。其目标是将现有基于四层单元（QLC）的太字节级固态硬盘容量最高提升至拍字节级，同时打造兼具固态硬盘速度和机械硬盘（HDD）经济性的中间层存储。

AIN B中的B代表带宽（Bandwidth），通过堆叠闪存来扩大带宽。这是公司采用被称为HBF技术所推出的产品名称。HBF指的是与将动态随机存取存储器（DRAM）堆叠而成的高带宽存储器（HBM）类似，通过堆叠闪存芯片制成的产品。

为扩大AIN B生态系统，SK海力士与今年8月签署HBF标准化谅解备忘录（MOU）的美国SanDisk一道，于本月14日在OCP会场附近的科学技术中心举办了“HBF之夜”活动，邀请全球大型科技企业相关人士出席。包括国内外教授在内的嘉宾以圆桌论坛形式展开讨论，当天有数十名半导体与系统设计领域的专家及技术人员参加。公司在会上提议业界层面的合作，以加速闪存存储产品创新。

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负责开发统括的社长、首席数据官（Chief Data Officer，CDO）An Hyeon表示：“通过本次OCP全球峰会和‘HBF之夜’，我们得以展示在以AI为中心急剧变化的市场环境下，已成长为‘全球AI存储解决方案提供商’的公司现在与未来”，并称：“在下一代闪存存储领域，我们也将继续与客户及各类合作伙伴携手，努力成长为AI存储市场的核心参与者。”

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本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。