一旦HBM技术外泄竞争力将受重创…呼吁加大惩罚力度的声音高涨
技术外流从中国转向美国格局生变
抢占人工智能技术企业竞争激烈
技术窃取企图或将持续增加
最高法院量刑委员会强化方案本月公布
“一旦信息被泄露，美国的美光便可大幅缩短追赶至与SK海力士具备同等业务能力所需的时间，相反，SK海力士的竞争力则很可能遭到大幅削弱。”
近日，首尔中央地方法院第50民事部作出裁定，准许禁止一名近期跳槽至高带宽存储器（HBM）竞争企业美光的SK海力士前研究员到新公司任职的假处分申请。该裁定书被评价为精准指出了因信息泄露而使我国企业可能面临的危机、失去公平性的竞争格局，以及由此给市场带来的弊端，也意味着竞争已激烈到水面下出现“黑色交易”的程度。
有观点认为，技术外泄的格局也已经发生变化。韩国半导体产业协会常务理事An Gi-hyun表示：“过去是国内人才流向中国，而最近跳槽到美光等美国企业的情况越来越多”，“在国内人才水平高于美国的情况下，如果跳槽案例不断增加，那么在技术外泄等多个方面都会削弱我国的竞争力，这一问题令人担忧。”半导体业界另一位相关人士则表示：“公司文件也许带不走，但最终创造技术的是人”，“如果那个人的能力和诀窍等传递到了竞争对手那里，势必会引发问题。”
此次HBM成为技术外泄的直接目标也格外引人关注。随着企业之间为抢占比任何人都更快、更精准的人工智能（AI）技术展开激烈竞争，HBM今后极有可能持续成为技术窃取的重点对象。
HBM是将打有微孔的多片DRAM芯片垂直堆叠，并通过电极连接堆叠芯片之间而制成的高性能、高容量DRAM。由于与图形处理器（GPU）配合使用，因此也被称为AI用内存。与普通DRAM相比，它属于价格更高的高附加值产品，加之近期AI需求激增，甚至出现了供不应求的局面。随着HBM需求迅速攀升，其在整体DRAM销售额中的占比也日益扩大。去年其比重仍处于个位数水平，但有预测认为，今年将达到20%以上的两位数占比。全球投资银行摩根士丹利预计，HBM市场规模从去年的40亿美元快速增长，到2027年将达到330亿美元。
在“抢占HBM就等于抢占业绩”的形势下，DRAM“三强”三星电子、SK海力士以及美国美光之间的竞争日趋激烈。根据市场调研机构TrendForce的数据，去年HBM市场中，SK海力士（53%）和三星电子（38%）占据主要市场份额，美光（9%）作为后来者在后追赶。预计今年SK海力士和三星电子将各自占据40%至47%的市场份额，形成二分格局，而美光的市场份额则在3%至5%之间。
法律界持续呼吁应对技术外泄犯罪实施更为严厉的惩处。大法院（最高法院）量刑委员会将在本月最终敲定并公布加强处罚力度的方案。此前在去年7月，一名为进入竞争对手英特尔而从三星电子泄露了涉及半导体超微细工艺核心技术等33个文件的工程师，在二审中被判处一年六个月有期徒刑实刑，并处罚金1000万韩元。与一审中缓刑2年的判决相比，量刑有所加重。本月4日，国家情报院又披露，朝鲜黑客组织在去年12月和今年2月入侵我国企业服务器，窃取了半导体产品设计图纸和设备现场照片等资料，此事也引发了巨大震动。
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