[芯片观察]砸下史上最高1000万美元游说费仍忧心与美国谈判的三星和SK

by Moon Chaeseok

Published 13 Mar.2023 06:30(KST)

被要求共享财务与技术安全信息
被逼入极限境地的韩国半导体企业

为了在与中国的霸权之争中取胜，美国正诱导韩国加入针对中国半导体的限制措施，如果三星电子和SK海力士无法发挥在北美的对美公关与游说能力，将难以生存。面对美国的压力，要在当地投入数十万亿韩元建设工厂并获得补贴，就必须承担不仅披露财务信息、甚至存在技术机密外泄风险的局面。今后如要在中国追加投资，还必须与美国政府进行激烈谈判，取得谅解。在这一谈判过程中，三星和SK事实上在几乎没有韩国政府支援的情况下，单独面对美国政府。

美国商务部于上月28日（当地时间）发布了《芯片与科学法案》补贴指引。首先明确了在美国境内工厂获得的收益需与美国共享的原则。获得超过1.5亿美元（约2000亿韩元）补贴的企业，必须将一定额度以上的利润与美国政府分享。预计美国将要求企业把这部分资金用于半导体人才培养、研发（R&D）园区建设等领域。目前尚未说明超额收益具体必须花在何处。

指引中还包括企业必须负责工厂员工福利的内容。企业需在工厂、施工现场附近新建企业托儿所，或对当地托育机构提供支持，并向美国当局提交具体的托育支援方案。同时还必须提交包括现金流、内部收益率、盈利性指标等在内的财务计划书。

吉娜·雷蒙多美国商务部长。AFP 联合新闻供图

更为棘手的是，美国美光是三星电子和SK海力士的主要竞争对手。美国在公布《芯片与科学法案》细则时表示，包括韩国企业在内的海外半导体企业工厂将被吸引到美国设厂。美国政府认为，美光等企业生产的存储芯片对于强化超级计算机等高性能计算生态系统而言，高端存储半导体是不可或缺的。

指引中还包括对韩国企业中国投资的限制内容。《芯片与科学法案》中的“护栏条款”（安全装置）规定，一旦接受美国补贴，今后10年内将被限制在中国进行新增投资。已经在中国建设的生产设施，今后可能被迫迁往韩国或美国的工厂。三星电子目前在西安运营NAND闪存工厂，在苏州运营后工序工厂；SK海力士则在无锡运营DRAM工厂，在大连运营NAND工厂，并在重庆运营后工序工厂。三星电子和SK海力士的半导体销售中，中国市场约占30%。

三星电子和SK海力士不得不直接与美国政府就护栏条款等后续细节进行谈判，这也成为它们的一大负担。有舆论批评称，韩国政府在美国公布这些半导体法案细则之前，未能展现出应有的谈判能力。事实上已演变为企业“各自想办法解决”的局面，人们自然会关注它们平时在北美对美公关与游说能力究竟打磨到什么程度。

三星电子去年3月任命前驻韩美国大使Mark Lippert为北美法人副总裁兼对外事务统筹负责人，还聘请前产业通商资源部美洲通商课长Kwon Hyukwoo为器件解决方案（DS）部门全球对外公关负责人常务。SK集团也在去年任命产业通商资源部前室长Kim Jeongil（相当于1级官员）为北美对美公关总负责人。两家公司均启用韩美两国外交与通商部门出身人士来管控风险。然而此次美国公布高强度的半导体法案细则，意味着即便动用了前官员，也未能有效说服美国政府。

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三星电子和SK海力士投入了史上最高水平的游说资金。根据美国非营利机构“OpenSecrets”的资料，三星去年在美游说支出为579万美元（约76亿韩元），SK海力士美国法人与Solidigm（原英特尔NAND闪存事业部）则支出了527万美元（约69亿韩元），合计1106万美元（约135亿韩元）。三星电子相关人士表示：“北美对外公关组织的活动范围、谈判对象及具体内容等难以对外公开。”

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