因被控将SK海力士的半导体核心技术泄露给中国竞争企业而被起诉的某合作公司副社长，被最终判处有期徒刑1年6个月，其实刑已获确定。
大法院第一小法庭（主管大法官 Shin Sukhui）于12日对因违反产业技术保护法、违反防止不正当竞争法（对营业秘密境外泄露等）而被提起公诉的SK海力士合作企业副社长 Shin某，维持原审判决，最终确定对其判处有期徒刑1年6个月。研究所所长等其他3名员工也被最终判处有期徒刑1年至1年6个月不等的实刑，另有1名员工被最终判处有期徒刑8个月、缓刑2年。对该合作公司法人也最终确定罚金10亿韩元。
Shin某等人与SK海力士合作过程中获知的半导体清洗配方、高介电金属栅（HKMG）半导体制造技术等半导体相关核心及尖端技术，以及营业秘密，被指于2018年前后泄露给中国半导体竞争企业，因而被提起公诉。HKMG是一种可阻断漏电流、改善电容的下一代工艺，是在提高动态随机存取存储器（D-RAM）半导体速度的同时还能降低功耗的新技术。
他们还被指利用通过三星电子子公司Semes前员工秘密获取的Semes超临界清洗设备图纸等半导体尖端技术和营业秘密，开发了用于出口中国的设备。
一审曾判处Shin某有期徒刑1年，但二审将刑期加重为有期徒刑1年6个月。一审中被判处有期徒刑缓刑的其他3名员工，在二审中刑期也被加重为有期徒刑1年至1年6个月的实刑。一审被宣告无罪的另一名员工，在二审中被判处有期徒刑缓刑。
当天，大法院也驳回了双方的上诉，称：“原审判决并不存在违反逻辑和经验法则、逾越自由心证主义界限之处，也不存在对产业技术保护法所规定的国家核心技术和尖端技术、以及防止不正当竞争法所规定的营业秘密等相关法律适用有误的情形。”
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