“2040年实现0.3纳米·AI提升100倍”……半导体工学会发布韩国技术蓝图
11日举行“半导体技术路线图论坛”
新设愿景战略委员会推进为期1年的工作
有预测称，半导体工艺水平在明年达到2纳米（nm，十亿分之一米）级之后，2028年需达到1.5纳米级，2040年要达到0.3纳米级，才能维持全球竞争力。
半导体工学会11日在首尔江南区格兰德洲际帕纳斯酒店举行“半导体技术路线图论坛”，发布了名为“半导体技术路线图”的报告，内容涵盖15年后我国半导体技术动向和前景。为制定路线图，半导体工学会在学会内部新设了愿景战略委员会，委员会历时1年完成路线图编制。委员会委员长由半导体工学会首席副会长、光云大学教授 Shin Hyeoncheol 担任。
半导体工学会以2040年前的15年为展望期，提出了半导体技术的未来蓝图，并公开了▲半导体器件及工艺 ▲人工智能（AI）半导体 ▲光互连半导体 ▲无线互连半导体等四大核心技术领域的发展方向。
在半导体器件及工艺技术领域，为推进工艺微缩，需要重点开发以LGAA（Lateral Gate-All-Around，横向环栅）和CFET（Complementary FET，互补场效应晶体管）为代表的晶体管技术，以及芯片的三维（3D）超大规模集成电路（VLSI）技术。通过这些技术，可以最大化半导体的性能和效率。LGAA是指从四面八方包裹电流通道，使晶体管更精确控制电流的技术；CFET是指将两个晶体管叠加堆栈的技术；3D VLSI则是将半导体一层层堆叠，以最大限度利用空间的技术。
在AI半导体技术领域，报告预测，2025年目前以1瓦功耗每秒可处理10万亿次计算的性能（10 TOPS/W），到2040年时，训练用半导体将提升至1000 TOPS/W，推理用半导体将提升至100 TOPS/W。
在光互连半导体技术领域，数据传输速度预计将从目前每通道100Gbps提升至2040年的每通道800Gbps。若整合8个通道，系统间互连速度预计将达到6400Gbps。
在无线互连半导体技术领域，同样有望实现性能飞跃。目前约7Gbps水平的无线数据传输速度，将通过利用毫米波和阵列天线技术，在2040年发展到1000Gbps。
半导体工学会表示：“针对2~3年后短期半导体产业和技术的展望，或5~10年后中期半导体产业和技术的展望，已经有很多发布。但在已成为国家支柱产业的韩国，迫切需要面向15年后的长期展望。”接着指出：“从人才培养角度看，大学生成长为专家并引领产业发展的时间节点，正是从现在起约15年后。为了培养这批人才并为其指明愿景，针对15年后长期技术和产业的预测是必不可少的。”
半导体工学会计划以本次首次路线图发布为起点，今后持续制定并发布半导体技术路线图，对我国半导体技术的中长期发展方向进行展望，并提出前进路径。
版权所有 © 阿视亚经济 (www.asiae.co.kr)。 未经许可不得转载。
