SK海力士新闻室专访
负责SK海力士高带宽内存(HBM)封装技术开发和量产的P&T主管副社长 Choi Woojin 19日通过公司新闻室表示:“在HBM开发和量产过程中,最重要的是‘Time to Market(适时推向市场)’”,并称“必须提前准备好能够敏捷应对市场形势的技术”。
Choi副社长在2019年首次在第3代HBM2E中导入了MR-MUF(Molded Resin-Metallic Underfill)技术。SK海力士采用的MR-MUF技术,是在堆叠好动态随机存取存储器(DRAM)芯片后,在各芯片之间注入液体形态的保护材料,并通过加热,使芯片得以稳定连接和固定的方式。该技术在提高散热能力和耐久性的同时,也有助于改善生产良率。Choi副社长在此基础上进一步高度化,开发出了“Advanced MR-MUF(高级MR-MUF)”技术,成功引领第4代HBM3 12层和第5代HBM3E的量产。
Choi副社长于本月7日在第48届国家生产力大会上被授予国家生产力大奖铜塔产业勋章。其凭借在HBM封装技术创新方面解决热量与压力问题,并大幅改善生产良率和品质的功劳而获得认可。
Choi副社长表示:“快速把握市场状况和客户需求并做出响应是基本功”,“SK海力士之所以能够通过HBM引领人工智能(AI)存储器市场,正是得益于这样的准备。”他为应对因AI影响而快速变化的半导体产业,着重提高组织的灵活性。其引入了不同于传统自上而下(Top-Down)方式的水平型决策结构,积极反映一线专家和实务人员的意见。
为克服自2022年开始的半导体市场低迷,Choi副社长加入了“Downturn Task Force(低迷应对工作组)”,扩大了高端产品线的生产,并通过改善工艺效率,制定了降低成本的方案。此外,自去年起AI存储器需求激增后,他在未追加投资的情况下,仅通过工序间生产调整,就成功将HBM产量在既有基础上提高到两倍以上。
在美中贸易摩擦和日本出口管制加剧供应链不稳定之际,Choi副社长主导了国产化项目。2019年,他与封装领域的合作伙伴共同开发出业内最高水准的国产设备,并将电镀液和接合材料等对海外依赖度较高的品目实现国产化。这不仅提升了SK海力士的供应链稳定性,也有助于提高整个国内半导体行业供应链的安全性。
由Choi副社长领导的P&T(Package & Test,封装与测试)组织,负责半导体生产工艺中后工序的封装和测试工作。其将晶圆厂完成前工序的晶圆封装成客户可直接使用的产品形态,并通过测试确认是否符合客户要求的品质水准,从而确保可靠性。包括MR-MUF以及在DRAM上钻微孔、以硅通孔(TSV)方式将芯片相互连接的封装技术,是SK海力士HBM竞争力的核心。
最后,Choi副社长表示:“希望大家时刻牢记生产率提升和技术创新之后会出现的拐点,到最后一刻都要深度思考如何进一步提升品质”,“要在不忘技术和品质这一基本面、并发扬挑战精神的前提下,发挥通过HBM已经证明的底蕴,并取得超越以往的表现。”
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