三星电子在31日举行的第三季度业绩发布电话会议上表示:“我们的2纳米(nm,十亿分之一米)代工制程,正作为针对移动和高性能计算(HPC)应用优化的平台技术进行开发,并通过提升制程成熟度和扩大知识产权(IP)组合,目标在2025年实现产品量产。”
三星电子称:“目前主要客户正利用我司2纳米环绕栅极(GAA)制程的工艺设计套件(PDK)及设计基础设施,从性能、功耗、面积等方面进行评估,以便实现客户产品化。”并表示:“对部分特定客户,则通过多项目晶圆(MPW,即在一片晶圆上同时集成多家厂商设计进行测试的方式),评估将导入产品的主要知识产权(IP)以及硅片特性。”
同时表示:“为进一步强化2纳米环绕栅极(GAA)的竞争力,我们正在开发相关工艺与设计技术,并额外开发背面供电网络(Backside PDM)汽车电子相关技术。”
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