SK海力士在25日召开的第二季度业绩电话会议上表示:“与通用DRAM不同,高带宽存储器(HBM)半导体并不会因为投资过剩而立即演变为供应过剩”,并称:“HBM产量与DRAM不同,存在晶圆面积(die size)损失惩罚,同时存内计算(PIM)和宽输入输出(WIO)等新类型存储器的需求将会出现。”
SK海力士表示:“从以往经验来看,人们可能会担忧供应商投资增加会引发供应过剩”,但“由于人工智能(AI)产业内竞争加剧,HBM需求正在急剧增长,即便供应商扩大产能(生产能力),供应短缺现象仍在持续。”
本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。
版权所有 © 阿视亚经济 (www.asiae.co.kr)。 未经许可不得转载。