Hanwha资产运用9日表示，投资于国内外DRAM存储半导体企业的交易型开放式指数基金（ETF）“ARIRANG Global D램반도체 iSelect”最近1年收益率录得84%。在国内上市的半导体ETF中，若剔除杠杆及反向产品，该基金业绩居首。
根据金融信息公司FnGuide的数据，以5日净资产价值（NAV）为基准，“ARIRANG Global D램반도체 iSelect”最近1年收益率为83.72%。分阶段来看，最近1个月上涨15.61%，3个月上涨36.76%，6个月上涨57.38%。
业绩亮眼的背景在于，DRAM和NAND闪存等存储半导体周期已正式进入复苏阶段。负责运作的Hanwha资产运用基金经理Kim Eunchong表示：“被视为半导体市场先行指标的DRAM现货价格在最近数个月呈上升趋势，在确认去年下半年触底后，正进入全面反弹通道。”
美国最大存储半导体制造商美光科技（Micron）公布的第二季度业绩和第三季度指引大幅超出市场预期，近期股价创下历史新高。三星电子股价也在近期突破8.5万韩元，重新夺回500万亿韩元市值，存储半导体行业整体持续受益于利好氛围。
随着人工智能（AI）半导体受到关注，其核心部件——高带宽存储器（HBM）需求大幅增加，也为存储半导体企业创造了受益环境。HBM通过将多片DRAM垂直堆叠连接，大幅提升数据处理速度，是高附加值、高性能产品。
“ARIRANG Global D램반도체 iSelect”基于“用于数据存储和处理的DRAM半导体需求将进一步扩大的”预期，集中投资于DRAM半导体“前三大”企业的ETF。截至8日，Micron（28.15%）、SK hynix（26.70%）、三星电子（22.40%）三家公司的合计持仓比重约为75%。三家公司在全球DRAM半导体市场的合计份额约为95%。
此外，还以合计约20%的比重投资于极紫外（EUV）光刻设备制造领域全球第一的半导体企业ASML（8.74%）、在沉积设备领域位居第一的Applied Materials（5.51%）以及刻蚀设备领域排名第一的Lam Research（4.11%）等公司。该ETF的基础指数为“iSelect Global DRAM半导体指数”。
Kim经理表示：“随着人工智能（AI）半导体需求扩大，DRAM、NAND闪存等存储半导体的需求也在增加。尤其是以全球大型科技企业为中心，HBM需求预计将持续增长，同时，随着三星电子的下一代存储技术3D DRAM研发进入实质推进阶段，DRAM半导体产业前景被看好。”
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