SK提出“缩小半导体减产”方案：“将考虑一季度变化”
Kwak Nojeong社长在CES 2024大会上表示：
“D RAM将尽最大努力生产高需求产品”
“3年内挑战市值20万亿韩元并非不可能”
SK海力士社长 Kwak Nojeong 表示：“DRAM最近出现景气改善的迹象，需求旺盛的产品理所当然会尽可能满负荷生产，而需求疲弱的部分将进行调节”，“我们正在考虑在第一季度进行调整。”由于这是半导体首席执行官就减产结束时间点公开表明具体看法，因此备受关注。
Kwak社长于8日（当地时间）在美国拉斯维加斯举行的全球最大电子·信息技术展会“CES 2024”上召开媒体发布会，在被问及“何时结束减产”时作出了上述回答。
Kwak Nojeong担任SK海力士社长，8日（当地时间）在美国拉斯维加斯举行的全球最大家电和IT展会“CES 2024”开幕前一天出席媒体发布会并发表演讲。SK海力士提供
View original image他之所以提及有可能“收尾”减产，被解读为近期半导体景气正以较快速度复苏，使其增强了信心。尤其是DRAM价格近期持续走高。市场调研机构TrendForce预计，今年第一季度移动DRAM价格将较上一季度上涨18%至23%，个人电脑DRAM将上涨10%至15%。这一预测较此前8%至13%的涨幅预期上调了10个百分点。用于个人电脑的通用DRAM以及面向存储卡、U盘的通用型NAND闪存产品自去年10月起，已连续3个月呈现上涨走势。市场调研机构Omdia同样预测，今年第一季度DRAM价格将上涨11%。
业内不仅认为市场正在恢复，还预测今年DRAM甚至有可能进入供不应求局面。中国智能手机代工（OEM）企业正以具有竞争力的价格补库存，增加采购用于移动终端的存储半导体。
受此影响，SK海力士预计将在今年第一季度提高DRAM产能利用率。据悉，SK海力士已在去年年底前，将其最大DRAM生产基地——中国无锡工厂的稼动率提高至75%至80%左右。
竞争对手三星电子和美光也在逐步恢复DRAM供应量。三星电子目前正以位于京畿道华城的16、17生产线以及平泽P2、P3生产线为中心，增加以1Zn（10纳米级）工艺为主的晶圆投片量。预计三星电子将在第一季度内，将减产幅度从35%缩小至约15%。据传，美国美光也已从第四季度开始扩大DRAM晶圆投片。
不过，与DRAM相比库存水平相对更高的NAND方面，公司仍坚持继续减产的立场。Kwak社长表示：“NAND的改善速度相对较慢，但似乎已经走出最糟糕的局面，我们将视市场行情，对不同产品进行差异化运营”，“在第二季度或第三季度等年中以后，将根据市场情况，按照与DRAM相同的原则作出决定。”
此外，Kwak社长在本次活动上表示：“在人工智能（AI）时代，承担数据处理核心角色的是存储器”，“我们正在筹备只属于SK海力士的客户定制型存储平台。”表明了积极应对AI时代日益多样化客户需求的意愿。他称：“我们将通过有助于高效利用高性能计算系统的下一代接口CXL（Compute Express Link），以及便于实现大容量的QLC（四层单元）存储等方式，继续推进创新。”
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他还以业绩向好预期为依据，表达了大幅提升市值的抱负。Kwak社长强调：“只要把目前在生产的产品准备好，把握好投资效率最大化和维持财务健全性，我认为从当前约100万亿韩元的市值出发，在3年内挑战市值200万亿韩元是完全有可能的。”
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