DB Hitek：“下一代功率半导体 GaN、SiC 正在开发中”

by Park Sunmi

Published 18 Oct.2023 09:23(KST)

扩充功率半导体产品线布局未来

8英寸代工专业企业DB HiTek于18日表示，公司已进行用于下一代功率半导体GaN（氮化镓）·SiC（碳化硅）制造所需核心设备的导入等初期投资，正加快相关开发进程。

以GaN·SiC材料为基础的半导体相比传统Si（硅）基半导体，更能承受高电压、高频和高温。由于电力效率高，在电动汽车、新再生能源、快速充电、5G等近期备受关注的新兴高成长领域中，作为下一代功率半导体的需求正急剧增长。市场调研机构Yole Development预测，GaN市场将从2022年的1.85亿美元增长至2028年的20.35亿美元，年均增幅约49%。SiC市场则将从2022年的17.94亿美元增长至2028年的89.06亿美元，年均增长率预计为31%。

DB Hitek 富川园区

DB HiTek顺应这一趋势，正以GaN·SiC为基础，推进其具有竞争优势的主力业务——功率半导体产品线的扩充。尤其是主要应用于电动汽车逆变器的SiC，需要承受1200伏以上的超高电压，技术难度极高，但目前仍以6英寸为主流，因此专长于8英寸工艺的DB HiTek在这一领域具有优势。DB HiTek的战略是适时进入初期8英寸市场，逐步提高市场份额。