Intel 4:采用EUV技术的首个Intel制程
在爱尔兰新晶圆厂量产Meteor Lake

英特尔在欧洲新建工厂引进极紫外线(EUV)光刻设备,开始量产7纳米(nm,1nm为10亿分之一米)级产品。这是正式启动采用EUV技术、以提升先进制程竞争力的首个案例。


英特尔4日表示,已在位于爱尔兰莱克斯利普的新工厂Fab 34启动应用EUV技术的Intel 4(7nm级)制程量产。在美国俄勒冈州工厂完成技术开发及初期生产之后,英特尔又在其欧洲核心生产基地——爱尔兰新Fab中正式将EUV技术导入Intel 4制程并开始产品量产。

引入EUV的英特尔在欧洲首次量产“7纳米”工艺…先进制程竞争全面升级 View original image


英特尔在半导体制程中导入EUV设备,是从Intel 4开始的。EUV设备是生产7nm及以下高端半导体时不可或缺的关键设备,用于在晶圆(半导体基板)上绘制电路图案。英特尔从Intel 4制程起导入EUV设备,目标是在今后强化其在先进制程领域的竞争力。


实际上,英特尔此前提出目标:到2025年完成包括▲Intel 7(10nm级)▲Intel 4 ▲Intel 3(4nm级)▲Intel 20A(2nm级)▲Intel 18A(1.8nm级)在内的五大制程。尽管此前在包括EUV导入在内的技术开发方面一度落后,但公司计划今后加快业务推进速度,以提升竞争力。


英特尔还将在Fab 34生产计划于年内推出的面向消费者的中央处理器(CPU)——Core Ultra处理器(代号:Meteor Lake)。公司也计划通过Intel 3(4nm级)制程,推出拟于明年上市的下一代至强(Xeon)处理器。



另一方面,英特尔预计Fab 34将有助于构建欧洲内部的先进半导体制造供应链。英特尔首席执行官(CEO)Pat Gelsinger表示:“爱尔兰一直是英特尔长期战略的核心”,并称:“Fab 34将为欧盟构建具有韧性且可持续的半导体供应链这一目标作出贡献。”


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