三星电子开发出目前最大容量32Gb DDR5 DRAM
无需 TSV 工艺即可制造 128GB 模组
相比同容量模组功耗提升 10%
计划年内量产…可应用于多种领域
三星电子在业内首次开发出12纳米级32千兆比特（Gb）双倍数据速率（DDR）5动态随机存取存储器（DRAM），并将在年内实现量产。32Gb是以单颗DRAM芯片为基准的历史最大容量。三星电子提出目标，今后将持续推出大容量DRAM产品阵容，引领下一代DRAM市场。
三星电子1日表示，继今年5月量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM之后，此次成功开发出业内容量最大的32Gb DDR5 DRAM。自1983年开发出64千比特（Kb）DRAM以来，时隔40年开发出32Gb DRAM，容量提升了50万倍。公司计划在年内量产32Gb DDR5 DRAM。
三星电子通过在保持封装尺寸不变的前提下改进架构，开发出32Gb DRAM，将容量在16Gb DRAM基础上提升了2倍。公司解释称，随着进入人工智能（AI）时代，数据处理量必然急剧增加，服务器内搭载大容量DRAM已成必需。实际上，全球数据量预计今年将突破100泽字节（ZB），到2025年有可能激增至181ZB。
在这一变化下，全球企业近期纷纷投资以获取具有竞争力的数据中心。尤其是在集中投资于价格在50万美元以上、对生成式AI至关重要的高端服务器的同时，为了更快处理更多数据，持续增加单台服务器搭载的DRAM容量。市场调研机构国际数据公司（IDC）预计，单台服务器DRAM搭载量将从今年的1.93太字节（TB）增至2027年的3.86TB。
利用32Gb DDR5 DRAM，即使不采用被称为先进封装技术的硅通孔（TSV）工艺，也能制造出128千兆字节（GB）内存模组。TSV工艺是指在DRAM上打孔并将多颗DRAM垂直堆叠的技术。此前，如要用容量在32Gb及以下的DRAM制造128GB模组，必须采用TSV工艺。与搭载16Gb DRAM的128GB模组相比，新产品还能将功耗降低10%，这也是一大优势。
此外，在生产大容量DRAM模组时，如果可以不使用TSV工艺，就能更高效地利用生产资源。例如，可以更多地生产近期需求激增的高带宽存储器（HBM）。HBM是通过堆叠多颗DRAM制成的高性能、大容量DRAM，必须采用TSV工艺。在TSV工艺产能有限的情况下，与其生产128GB模组，不如增加HBM产量。
业内评价认为，三星电子通过此次产品开发，已经具备了开创1TB DRAM模组时代的基础技术。32Gb DRAM有望成为抢占未来DRAM需求的强有力武器。公司今后将通过该产品持续扩充大容量DRAM产品阵容，并与全球信息技术（IT）企业合作，打造引领人工智能（AI）时代的大容量、高性能、低功耗产品，从而带动下一代DRAM市场。
三星电子存储事业部DRAM开发室长、副社长Hwang Sangjoon表示：“通过此次12纳米级32Gb DRAM，我们已经获得了未来实现1TB模组的解决方案”，“今后也将凭借差异化的工艺与设计技术实力，不断突破存储器技术的极限。”
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