三星电子与SK海力士争夺HBM市场先机
AI时代,高性能大容量存储成必需
第五代HBM开发将决定最终胜负

三星电子和SK海力士正为抢占HBM(高带宽存储器)市场展开全面竞争。率先实现HBM3(第4代)量产的SK海力士,已将全球最大图形处理器(GPU)企业英伟达纳入客户阵容,当前在市场上处于领先地位。但若三星电子在今年9月实现HBM3量产,并向客户供应第5代HBM样品,局面将再次发生变化。两家公司都在低迷的存储半导体市场中,以HBM这一高性能DRAM为武器,谋求业绩反弹。


10日,半导体业界表示,由三星电子和SK海力士主导的HBM市场目前仍处于形成初期阶段,关键在于谁能更快抢占并掌控市场。两家公司均在强化HBM竞争力和抢占客户方面加快动作,围绕市场占有率第一“王座”的神经战也日趋紧张。原因在于,HBM已成为破解存储半导体不景气的新增长动力。


HBM是备受关注的下一代DRAM产品。其特点是将DRAM单颗芯片垂直堆叠,大幅提升数据处理速度。受人工智能(AI)热潮推动,为处理必不可少的大容量数据,高性能·大容量的HBM存储器至关重要。尤其是,HBM价格至少是普通DRAM的2倍、最高可达5倍,盈利能力显著更高。这也是近期出现营业亏损的存储半导体企业不得不押注HBM的原因所在。


市场调研机构TrendForce统计显示,截至去年年底,全球HBM市场份额为:SK海力士50%、三星电子40%、美光10%。该机构预测,今年唯一量产HBM3的SK海力士份额将上升至53%,而三星电子则可能下滑至38%。

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但三星电子对“SK海力士在HBM市场全球市占率居首”的相关统计予以正面反驳。三星电子DS(半导体)部门社长(代表理事)Kyung Kyehyun在本月5日的员工沟通活动“WeTalk”上表示:“三星HBM产品的市场占有率仍然在50%以上”,“最近HBM3样品产品获得客户高度评价”。他还强调:“HBM3、HBM3P将从明年起为DS部门的利润增长作出贡献。”业界将此解读为其意在打消部分舆论对三星电子存储半导体竞争力的担忧。


自2013年SK海力士与AMD共同首次开发HBM以来,三星电子与SK海力士围绕市场主导权展开此消彼长的竞争。两年后的2015年,三星电子成功开发出第2代HBM——HBM2,进而以压倒性优势夺取市场份额。当时,SK海力士迅速将重心放在第3代(HBM2E)和第4代(HBM3)的开发上,再次夺回主导权。


目前,在全球DRAM制造商中,SK海力士是唯一一家量产HBM3的企业。SK海力士自2013年起正式启动HBM开发,并于2021年10月率先在业内开发出第4代产品“HBM3”,于去年6月实现首次量产。随后在今年4月,又全球首次将12颗DRAM单芯片垂直堆叠,开发出实现当前最高容量24GB(千兆字节)的HBM3新品,目前正接受客户验证。


该公司也在迅速推进后续产品开发。SK海力士正以明年上半年量产为目标,开发HBM3之后一代的HBM3E型号。SK海力士副会长Park Jung-ho上月出席SK集团扩大经营会议时表示:“随着AI市场扩张,HBM需求不断上升,对今年下半年市场持积极看法。”

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三星电子也开始积极应对HBM3需求。公司计划在下半年量产HBM3产品,并据此接连申请、注册“Snowbolt”“Shinebolt”“Flamebolt”等被视为下一代HBM产品名称的商标。目前,三星已出货HBM3 16GB和12层堆叠24GB产品样品,并计划根据市场需求,在年内推出第5代HBM产品HBM3P。三星还决定扩大设备投资,大幅提升HBM产能,目标是在明年年底前完成扩张。


KB证券研究中心长Kim Dongwon表示:“三星电子从今年第四季度开始供应HBM3后,有望正式进军面向AI服务器的存储器市场”,“预计三星电子整体DRAM销售中,HBM3的销售占比将从今年的6%扩大到明年的18%,下半年业绩有望大幅改善。”


业界认为,在SK海力士与三星电子之间,谁能率先推出第5代HBM,谁就将再次掌握胜机。两家公司都以明年量产为目标开发第5代HBM。据悉,SK海力士近期已向多家北美客户提供第5代HBM3E样品。三星电子同样已向多家客户提供第4代HBM3样品,并在开发性能更高一级的第5代产品HBM3P和HBM4。



目前,HBM在整体DRAM市场中所占比重仍然有限,市场也仍处于形成初期。但其成长性十分明确。TrendForce预计,今年全球HBM需求将达到2.9亿GB,比去年增长近60%,明年还将再增长30%。TrendForce表示:“当前推动HBM需求增长的动力,是搭载英伟达GPU的AI服务器,以及正在开发专用集成电路(ASIC)的谷歌、亚马逊云服务(AWS)等大型云服务企业。”


本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。

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