“韩半导体在华生产技术水平或将被设上限”……密切关注美国补贴利好

by Jeong Hyunjin

Published 24 Feb.2023 10:25(KST)

Updated 24 Feb.2023 10:53(KST)

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美商务部称“欢迎韩企申请补贴” 但同日表示“对华半导体出口限制豁免期结束时或将设限额”

美国总统 Biden 政府为鼓励本国半导体生产而制定的规模为390亿美元（约50万亿韩元）的补贴，即将进入正式发放程序。负责统筹 Biden 政府半导体政策的美国商务部长 Gina Raimondo 表示，“正与韩国进行紧密对话”，并称如果韩国企业在美国建厂并开展业务，欢迎其申请补贴。

尽管传出美国将提供补贴的消息，韩国国内半导体业界却难以轻易露出笑容。因为获得美国补贴的企业不得在中国境内将半导体产能扩大到一定水平以上，必须仔细审视在中国运营半导体工厂的三星电子和SK海力士是否能够获得补贴。此前，美国政府高级官员已表示，将以对华半导体出口限制措施为由，对三星电子和SK海力士在中国工厂生产一定技术水平以上半导体设定上限。

图片由AP联合新闻提供

◆ “到2030年为止至少打造2个半导体集群”

据《华尔街日报》（Wall Street Journal）等媒体23日（当地时间）报道，Raimondo 部长当天在华盛顿特区乔治华盛顿大学演讲时表示：“从下周二（28日）起将开始受理《芯片与科学法案》补贴申请”，“补贴的宗旨是引导企业在美国生产半导体”。她将《芯片与科学法案》解释为“从根本上说是一项国家安全政策”，并表示：“我希望美国成为唯一一个所有尖端半导体生产企业都在此设立大规模研发和量产制造设施的国家。”

美国去年8月通过《芯片与科学法案》，为鼓励半导体企业在美国投资，在5年内共编列527亿美元预算，用于半导体生产补贴（390亿美元）以及研究开发（R&D）资助（132亿美元）等。Raimondo 部长所提到的补贴，是指为在美国境内建设半导体生产设施提供的390亿美元资助。R&D 资助预计将在数个月内开始受理申请。

Raimondo 部长表示，将在2030年之前至少打造2个半导体集群。她强调，将在各集群内建设坚实的供应生态系统和实现新技术创新的研发设施。她还表示，将使半导体晶圆厂在经济上具备竞争力地生产尖端存储半导体，同时满足主要用于汽车、医疗设备和军用装备等领域的成熟制程半导体的需求。

吉娜雷蒙多美国商务部长 [图片来源=EPA联合通讯社提供]

《华尔街日报》报道称，Raimondo 部长虽然没有透露集群的具体位置，但美国英特尔和台湾台积电（TSMC）正在投资建设半导体工厂的亚利桑那州、俄亥俄州，以及三星电子进行半导体投资的得克萨斯州等地，被视为有力候选。

◆ “正与韩国等国探讨合作方案……欢迎韩企参与”

Raimondo 部长当天在答问环节中，就有观点指出，美国的本国优先主义令韩国、日本、台湾等东亚盟国遭受经济损失，她解释称，美国所希望的既不是补贴竞赛，也不是将所需半导体全部自给自足。

她表示，最近已与日本方面接触，并与韩国的对口官员保持着紧密对话，强调美国今后将在相当长一段时间内依赖盟国进行半导体生产。她还表示，正在与韩国、欧洲、日本展开对话，以探寻如何携手合作，并称：“如果日本企业、韩国企业在美国建厂并开展业务，我们欢迎其申请补贴。”她在演讲中还提到，“大家都想知道英特尔会拿到多少、三星会拿到多少”，“三星是该领域的全球领导者”。

韩国国内半导体业界正密切关注补贴发放条件。美国提出的条件是，获得补贴的企业必须与商务部签署协议，承诺今后10年内不在中国等“令人担忧的国家”扩大半导体产能。这是为了防止中国通过美国补贴获益而设立的“护栏”（安全装置）条款。在三星电子和SK海力士等韩国半导体企业在中国运营半导体工厂的情况下，具体细则尤为关键。

图片由路透社联合报道提供

美国表示，不会限制在中国生产传统（成熟制程）半导体的现有设施运行。但即便是传统半导体，一旦扩大产能，其产品大部分也必须面向中国内需市场。《芯片与科学法案》规定，所谓传统半导体，在逻辑（非存储）芯片方面是指28纳米（nm，1纳米为10亿分之一米）及更早一代制程。不过，对于存储半导体并未作出具体界定，而是规定由商务部长与国防部长和国家情报总监协商，按逻辑半导体标准作出决定。

此前，美国商务部已于去年10月将对华半导体出口限制标准设定为：美国企业如向中国销售可生产采用鳍式场效应晶体管（FinFET）技术等的逻辑芯片（16纳米或14纳米及以下）、18纳米及以下动态随机存取存储器（DRAM）以及128层以上 NAND 闪存的设备和技术，必须获得许可，事实上等同于禁止出口。

◆ 美方官员：“对三星和SK在华生产的半导体技术水平设上限”

在中国运营半导体工厂的韩国半导体企业预计还将额外承受美国对华半导体出口限制的影响。此前，商务部去年10月宣布出口管制措施，禁止向在中国生产半导体的企业出口美国半导体设备，同时对三星和SK海力士的中国工厂，在1年内全面允许设备进口。

就在 Raimondo 部长发表讲话前，同一天，美国政府一名高级官员在谈及对华半导体出口限制措施中对三星电子和SK海力士给予一年宽限期一事时表示，可能会对其中国工厂生产的产品设定一定水平的限制。

图片由路透社联合新闻提供

美国商务部负责工业与安全事务的副部长 Alan Estevez 当天在韩国国际交流财团（Korea Foundation）与战略与国际问题研究中心（Center for Strategic and International Studies）在华盛顿特区联合举办的韩美经济安全论坛上，就宽限期结束后将会如何发展这一提问表示：“我们正在与企业协商未来的应对方案，很可能会对企业可生产的半导体技术水平设定上限（cap on level）。”他解释称：“如果企业目前在生产某一‘层数’的 NAND 闪存，就会让其在该范围内的某一水平停步。”

这一表态被解读为，通过限制在中国生产的半导体技术水平，不会让中国通过三星电子或SK海力士等在华半导体工厂获得尖端半导体。