“海力士·三星500万亿营业利润时代”……半导体超级景气中HBM狂飙不止

by Park Joonyi

Published 23 Apr.2026 08:45(KST)

海力士营业利润率刷新至72%
扩大HBM销售强化价格谈判力
在供给方占优的市场中利润最大化
“重质不重速”积极扩充产能

随着半导体超级景气周期持续，存储厂商的业绩也在一路高歌。有业内观点称，SK海力士与三星电子今年全年营业利润合计将达到500万亿韩元规模。分析认为，SK海力士在半导体价格上涨的基础上，以高附加值产品为中心最大化了销售额。此外，公司还在积极扩充产能（Capacity），预计至少到明年之前都将维持业绩上升势头。

据证券业界等消息，截至23日，市场预计今年SK海力士的全年营业利润最高将达256万亿韩元。尽管中东战争、关税不确定性的影响仍在持续，但存储厂商凭借人工智能（AI）需求的扩散，已进入史上最景气的繁荣期。在美国与伊朗之间紧张局势长期化的背景下，Alphabet（谷歌）、亚马逊、Meta、微软等美国大型科技企业仍在扩大数据中心投资。仅这4家企业今年公布的投资计划就高达6650亿美元（约合1000万亿韩元）。

尤其是SK海力士通过以高带宽存储器（HBM）等主力高附加值产品为核心的产品结构，大幅提升了盈利能力。反映销售成果的营业利润率达72%，远超去年第四季度创下的最高纪录58%。半导体业界评价称，公司通过扩大HBM销售，成功强化了与主要客户的价格谈判力。尤其是拉动营收的“一等功臣”是HBM3E。英伟达的主要加速器（H200、Blackwell系列）目前以HBM3E 8层、12层产品为主力配置。业界认为，公司通过客户需求量最大的HBM3E，正在获得稳定收益。

清州M15X新工厂鸟瞰图。SK海力士供图

同时，随着AI开发需求激增导致存储供给不足，形成了“供给方占优”的市场格局，盈利能力被最大化。据业内透露，今年一季度SK海力士通知主要客户，通用DRAM价格相较去年四季度上调超过100%。预计二季度DRAM价格还将进一步上涨近50%。据业界介绍，在SK海力士整体DRAM出货量中，HBM占比约30%，其余则由通用产品构成。

NAND闪存价格的上调同样被认为对业绩产生了影响。由于需求激增而供给量减少，据悉一季度NAND价格环比上涨了55%至60%。因此，市场预测，去年不足2万亿韩元的SK海力士NAND营业利润，今年将超过40万亿韩元。

中东战争导致的高汇率局面，反而被分析为对SK海力士构成利好，因为半导体出口结算大多以美元计价。不过，战争是否长期化，将决定其对半导体行业原材料价格上涨所产生的影响程度。

“水涨就要多划桨”……积极扩充产能

SK海力士正集中精力扩充产能，以应对存储需求的爆发式增长。据悉，清州M15X新工厂计划将本月起投产的月均晶圆投入量，从目前约1万片逐步扩大至明年最高8万片。随着M15工厂投产，预计SK海力士的DRAM产量将比现有水平增加10%至15%。尤其是由于该厂以先进工艺生产线为核心，被认为将在盈利性方面发挥更大贡献。此外，公司还在加快推进龙仁半导体集群一期晶圆厂建设，目标是在2027年2月开放洁净室。公司已将洁净室开放时间从原定的明年5月提前到2月。

业内预计，今年HBM4量产全面展开后，技术竞争将更加激烈。围绕未来HBM4E、HBM5以及定制HBM等的市场抢占之战也将进一步升级。不过，三星电子近期在HBM竞争中发起反击，正在快速追赶。三星电子继今年2月启动HBM4量产之后，又在3月被选为搭载于AMD AI加速器的HBM4优先供应商。但SK海力士的战略是，与其进行速度竞赛，不如更加注重稳定性与成熟度。公司正有力考虑在HBM4E基底芯片上采用台积电（TSMC）的3纳米（nm）工艺。

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业界普遍认为，SK海力士的成长势头将持续到明年。加上三星电子（约300万亿韩元），国内两大存储厂商全年营业利润将达到500万亿韩元的预期正不断升温。三星证券研究员Lee Jongwook表示：“本轮周期与以往不同，其繁荣持续期在结构上可能明显延长，具备差异性”，“反映盈利持续性增强的大趋势，预计到2027年营业利润将增至232万亿韩元，继续保持增长。”

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本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。