全球最大晶圆代工企业、来自中国台湾的台积电(TSMC)宣布,今年第四季度已开始量产最先进的2纳米(1纳米=10亿分之一米)工艺产品。


据联合报等台湾媒体31日报道,台积电前一天在其官方网站上表示,正在南部高雄楠梓科学园区的22厂(半导体生产工厂)量产2纳米(N2)产品。

位于台湾高雄楠梓科学园区的台积电工厂。AFP联合新闻供图

位于台湾高雄楠梓科学园区的台积电工厂。AFP联合新闻供图

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纳米是表示半导体电路线宽的单位。线宽越窄,功耗越低,处理速度越快。


台积电表示,在N2工艺中采用了第一代环绕栅极(GAA)纳米片晶体管技术,在性能和功耗方面实现了突破性进展。


为提升N2的性能,台积电开发了在半导体芯片上形成用于电气连接的金属布线和绝缘层的重布线层(RDL,Redistribution Layer)以及超高性能金属—绝缘体—金属(SHPMIM)电容器等,将表面电阻(Rs)和通道电阻(Rc)分别降低了50%。台积电称,通过这些技术创新,实现了更稳定的电源供应、出色的运算能力以及整体能效的最优化。


消息人士指出,台积电的N2工艺首次采用从鳍式场效应晶体管(FinFET)技术跃升而来的GAA纳米片晶体管技术,展现了技术创新。借此可以在不牺牲性能和能效的前提下,进一步缩小晶体管尺寸并大幅提高晶体管密度。


另一位消息人士表示,虽然台积电公开了南部22厂的N2工艺量产情况,但实际上早已在北部新竹科学园区宝山地区的20厂第一工厂先于22厂开始量产。



据该消息人士透露,台积电正在考虑将目前约5万片规模的22厂和20厂月产能,在明年底之前扩大到10万片以上,并在2027年提高到20万片以上。首批客户包括苹果(Apple)、超威半导体公司(AMD)、英特尔(Intel)等,今后高通(Qualcomm)、联发科(MediaTek)、英伟达(NVIDIA)也将陆续采用该工艺。


本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。

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