东进Semi Chem表示，其用于V-NAND闪存的氟化氪（248nm）光刻胶（KrF厚膜光刻胶，KrF Thick PR）新近入选产业通商资源部和KOTRA评选的“2025年世界一流商品”。
“世界一流商品”授予符合以下条件的产品：▲全球市场占有率位居前五且占比在5%以上；▲全球市场规模在5000万美元以上且为韩国国内市场规模2倍以上，或年出口额在500万美元以上等。
东进Semi Chem该款光刻胶在最近3年（2022年至2024年）实现出口实绩1.859亿美元，入选世界一流商品新认定品目。业界评价称，其全球市场占有率和国家层面的成果得到了官方认可。
V-NAND是一种通过将存储单元垂直堆叠以最大化存储容量的下一代闪存技术。在形成电路图案这一核心步骤中的高难度刻蚀工艺中，要保持稳定性能，必须使用厚膜光刻胶（Thick PR）。
东进Semi Chem的光刻胶（KrF厚膜光刻胶）是一款针对上述V-NAND工艺优化的产品，相比既有光刻胶，同时实现了优异的分辨率和耐腐蚀性（抗刻蚀性），并且即使在高层数V-NAND中也能稳定形成图案，这是其一大优势。
此外，东进Semi Chem是韩国国内首家开发光刻胶的企业，一直在半导体材料国产化方面走在前列，持续积累独一无二的技术实力。公司通过自主技术设计和合成核心原材料，持续开发能够满足各代工艺对PR厚度不断提高需求的产品。PR是用于半导体光刻工艺的关键材料，属于对光产生反应并引发化学变化的感光液的一种。
东进Semi Chem是一家供应感光液（Photoresist）、反射防止涂层（BARC）、SOC等半导体和显示用高端材料的专业企业，正在向国内外主要制造商提供关键材料。本次入选的光刻胶是东进Semi Chem的核心业务领域，公司在全球市场持续扩大其技术影响力。
东进Semi Chem相关负责人表示：“继率先在国内实现半导体材料国产化之后，光刻胶又被评选为世界一流商品，取得了新的成果。今后我们也将顺应市场变化，把研发力量集中在EUV（极紫外）和HBM（高带宽存储器）工艺用材料以及先进封装材料等下一代技术开发上。”
版权所有 © 阿视亚经济 (www.asiae.co.kr)。 未经许可不得转载。
