拿下“大户”的三星电子，存储与非存储双引擎重振声誉
英伟达质检通关
HBM供应获批 历经2年奋战
副会长 Jeon Younghyun 押注命中
第三季度DS部门营收增长33.1%
HBM全球市场出货扩大
数据中心投资带动DRAM等景气
重夺全球内存营收第一
与特斯拉合作 代工事业现复苏态势
三星电子打破了此前看似高不可攀的英伟达“高墙”，在高带宽内存（HBM）领域迎来新的转折点。由于成功拿下每年推出新一代人工智能（AI）芯片的“大客户”英伟达这一固定客户，业界评价称其存储器业务也如虎添翼。
据半导体业界30日消息，三星电子通过品质验证（Qual Test）让英伟达对其技术建立信心并获得产品供应批准，前后耗时约2年。在HBM开发方面起步略晚于竞争对手的三星电子，自2023年起向英伟达提供HBM3、HBM3E产品，并持续努力通过品质验证。去年2月，三星还业界首次开发出容量为36GB的HBM3E 12层堆叠产品，并向英伟达提供了样品。然而，三星电子的HBM在良率和发热方面暴露出缺陷，未能打动英伟达。最终，三星电子押上“王牌”，让出身技术岗位的副会长 Jeon Younghyun 担任设备解决方案（DS）部门的“救火投手”。据悉，Jeon 副会长去年7月新设HBM专门团队，全力推进进入英伟达供应链。他还承受了对作为HBM生产基础的DRAM设计方式等进行全面重构这一“脱胎换骨”式改革的痛苦。据传，Jeon 副会长此后手持公司按照英伟达要求制作的DRAM和HBM样品，从去年年底开始多次拜访英伟达，说服其管理层。
在两年的品质验证与扩大合作努力之后，三星电子半导体部门（DS）按季度口径录得历史最高业绩。DS部门销售额为33.1万亿韩元，营业利润为7万亿韩元。业界分析认为，存储器与非存储器业务同时拉动了业绩改善。存储器方面，受HBM和DRAM等主要产品价格上涨及需求扩大的带动，盈利能力大幅提升。相较之下，非存储器业务则把此前每季度约2万亿韩元的亏损幅度明显收窄，呈现业绩回升势头。由此，三星电子重建了存储器与晶圆代工（半导体代工生产）共同成长的结构，被评价为进一步夯实了其作为综合半导体企业的基础。IBK投资证券研究员 Kim Unho 就三星电子第三季度业绩评价称，“由DS部门主导了业绩改善”。他分析称，受DRAM和固态硬盘（SSD）需求增加带来的价格上涨以及HBM出货扩大影响，成为营业利润改善的主要因素。此外，他还推算，晶圆代工等非存储器部门的营业利润较上一季度增加了约1.5万亿韩元。
三星电子的存储器业务在向英伟达供应HBM3E的基础上，又叠加全球存储器市场景气回升的趋势，进一步推高了业绩。随着AI数据中心投资激增，通用DRAM和NAND闪存产品的需求迅速增长，相应价格也呈上涨态势。智能手机、个人电脑和数据中心服务器等主要设备的存储器更换周期同时到来，也对需求扩大产生了影响。与此同时，由于供应未能跟上需求，存储器市场进入了供不应求局面。业界认为，这一市场环境对三星电子有利，并最终转化为盈利能力的改善。
去年3月在英伟达 GTC 2024 活动上，CEO Jensen Huang 亲笔签名的三星电子 HBM3E 12层实物产品。Han Jinman 当时担任三星电子美洲地区总负责人，在社交媒体发布
View original image三星电子在第三季度重新夺回了存储器市场的份额。根据Counterpoint Research的数据，三星电子以194亿美元的销售额超越175亿美元的SK海力士，重返第一。DRAM市占率也达到34%，与SK海力士（35%）的差距缩小至1个百分点。
三星电子的晶圆代工业务也因全球企业的新订单而呈现复苏势头。其参与生产特斯拉下一代自动驾驶AI芯片AI5、AI6，并签订了规模约23万亿韩元的合同，还在向苹果供应用于iPhone的图像传感器（CIS）。采用2纳米工艺开发的Exynos 2600预计将搭载于明年的Galaxy S26系列。韩国半导体产业协会副会长 Kim Junghoe 表示：“全球企业向三星下达晶圆代工订单的背后，固然有制衡台积电（TSMC）垄断地位的客户意图，但看起来不可能仅凭这一点就达成合同”，“近期三星晶圆代工的生产能力有所进展，对此也产生了一定程度的信任，因此合同才能得以达成。”
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