SK海力士在29日举行的2025年第三季度业绩发布电话会议上表示:“考虑到公司的产能,不仅高带宽存储器(HBM),就连动态随机存取存储器(DRAM)和闪存(NAND Flash)实际上都可以视为全部售罄。”

公司当日称:“本公司最先进的10纳米级第六代(1c)工艺已经实现稳定量产,明年将加快向1c纳米工艺的转换,以持续保持在成本和产品竞争力方面的优势。”此外,SK海力士还表示:“动态随机存取存储器需求增速预计将从今年的10%后段扩大到明年20%以上,闪存则预计将从今年的10%中段改善到明年10%后段”,并称:“第四季度我们计划动态随机存取存储器和闪存的出货量均较上一季度实现个位数低位的增长。”



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