SK海力士 Son Yunik：“不断创新，多亏了一个团队的精神”
Team Jang Son Yunik 获IT领域大韩民国工程师奖
主导D-RAM开发HKMG工艺应用创新
“技术深度与同事协作同样重要”
SK海力士未来技术研究院DPERI（DRAM外围·为控制DRAM单元动作以及数据读写所需的外围电路）组织组长Son Yunik荣获“大韩民国工程师奖”。
据SK海力士18日消息，Son组长于前一天在首尔江南区三井酒店举行的“2025年上半年大韩民国工程师奖颁奖典礼”上获奖。由科学技术信息通信部和韩国产业技术振兴协会共同颁发的工程师奖，授予在产业现场取得卓越研究开发（Research and Development）成果的工程师，旨在聚焦为提升韩国技术竞争力作出贡献的核心人物。
SK海力士未来技术研究院DPERI组织组长Son Yunik 17日在首尔江南区三井酒店举行的颁奖典礼上获得“大韩民国工程师奖”后，与同事合影留念。SK海力士提供
View original image在信息技术工程师领域获奖的Son组长，是引领SK海力士下一代人工智能（Artificial Intelligence）半导体技术开发的主力人物。他主导开发了高带宽存储器（High Bandwidth Memory）和移动用低功耗DRAM（Low Power Double Data Rate），持续挑战技术极限，其贡献获得认可。
作为器件工程师，Son一直致力于多种DRAM产品的外围（Peripheral）晶体管开发，即便在对高性能、低功耗和高可靠性有着苛刻要求的条件下，他依然发挥了技术领导力，实现了客户能够切实感受到的性能提升。
Son组长表示：“每当遇到瓶颈，就会想起与同事们凑在一起寻找解决方案的那些时刻”，“今后也将以‘One Team Spirit（一个团队精神）’继续推进能引领国家产业发展的技术创新。”
他特别强调：“HBM和LPDDR并不是单纯提升性能就可以，还必须同时确保低功耗、可靠性和量产性，这是一项艰难的挑战”，“各个组织在各自专业领域尽了最大努力，彼此理解与协作，才得以维持如今在人工智能存储领域的领导地位。”
荣获“大韩民国工程师奖”的 Son Yunik，SK海力士未来技术研究院 DPERI组织组长。他因在D-RAM开发中应用HKMG工艺等，引领技术创新的成绩而获得认可。SK海力士提供
View original image在Son Yunik组长的职业历程中，最具象征性的成果，是将HKMG（High-K Metal Gate，高介电常数金属栅极）工艺成功应用于DRAM。HKMG工艺是指在DRAM晶体管内部的绝缘层中使用介电常数（K）较高的材料，以阻断因工艺微缩而产生的漏电流并改善电容特性的一种下一代工艺。该工艺最初应用于中央处理器（Central Processing Unit）和应用处理器（Application Processor）等逻辑半导体，由于在DRAM制造上的诸多限制，一直未被尝试。然而，Son组长进行了大胆挑战，并最终成功大幅提升了产品的性能和能效。
他回顾称：“在DRAM中导入HKMG并非单纯的技术扩展，而是一场范式转变”，“必须在将其对存储单元晶体管的影响降至最低的同时，克服HKMG的缺点。”
Son组长表示：“工程师是通过技术来解决世界问题的人”，“在种种制约之下发现并实现新的可能性，这才是工程师的本质。”他也没有忘记向后辈提出嘱托。他说：“我想嘱咐未来的工程师们，要有‘对技术的信念’和‘承受失败的韧性’”，“希望大家怀着‘自己创造的技术可以改变世界’的确信，将这份锐气付诸实践。”
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面向SK海力士成员，他强调：“我们正处在迈向人工智能时代的关键转折点”，“技术终究是由人创造的，成员个人的热情、专注力和协作才是最大的竞争力。”他再次强调“一个团队”的精神：“技术有多深，同事之间的信任与协作就同样要有多深，希望大家成为在一起学习、一起经历失败并共同成长的真正One Team（一个团队）。”
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