“HBM之力”SK海力士摘掉“老二”标签（综合）
去年营业利润23.5万亿创历史新高
估算15万亿 三星电子DS年业绩首度被超越
销售额66.2万亿 净利润19.8万亿
全部为公司创立以来最高纪录
第五代HBM拉动亮眼业绩
SK海力士凭借王牌产品高带宽存储器（HBM），去年创下历史最高业绩。销售额、营业利润和净利润全部刷新公司成立以来的新高。继去年三季度首次在营业利润上超越三星电子半导体部门（DS）之后，按年度口径计算也首次实现反超。
SK海力士于23日公告称，2024年营业利润（合并基准）为23.4673万亿韩元，相比前一年7.7303万亿韩元的营业亏损实现扭亏为盈。
去年销售额为66.193万亿韩元，同比增加102%。净利润为19.7969万亿韩元。销售额比此前最高纪录2022年（44.6216万亿韩元）高出21万亿韩元以上，营业利润也超过了存储器超级景气期2018年（20.8437万亿韩元）的成绩。
SK海力士此次创纪录业绩的核心无疑是HBM。HBM在整体DRAM销售额中占比超过40%，企业级固态硬盘（SSD）销售也表现强劲。
随着SK海力士年度业绩超越三星电子，“万年老二”的标签也被撕掉。三星电子此前公布的去年四季度营业利润为6.5万亿韩元。证券界和业界估算，其DS部门营业利润在3万亿韩元左右。推算去年全年，DS部门营业利润约为15万亿韩元规模。年度营业利润首次超过三星电子DS部门。
SK海力士在去年四季度的销售额和净利润也分别达到19.767万亿韩元和8.0065万亿韩元，创下单季度历史最高业绩。由此，去年末SK海力士的现金性资产为14.2万亿韩元，较前一年末增加5.2万亿韩元；相反，有息负债则减少了6.8万亿韩元。
在业绩发布后随即举行的说明会上，公司表示：“今年HBM销售额将同比增长100%以上”，“HBM4产品的目标是今年下半年完成开发和量产准备，并开始供应。”
SK海力士还补充称：“HBM4正在采用技术稳定性和量产性已获验证的1b纳米工艺推进开发。”又表示：“HBM4将从12层堆叠产品起步，之后的16层产品将根据客户需求时点供应，预计在明年下半年”，“基于将先进MR-MUF技术率先应用于HBM3E的经验，今后有望应用于HBM4 16层产品的量产。”接着说明称：“HBM4将首次在基底芯片上利用逻辑晶圆代工（半导体委托生产），以强化性能和功耗特性，为此正与台积电（TSMC）构建‘One Team’体系开展协作。”
SK海力士表示：“基于专用集成电路（ASIC）的客户需求正在有意义地增加，客户群将进一步扩大。”尤其反复强调，尽管存储半导体具有对市况高度敏感的特性，但公司已围绕HBM技术实力构建以盈利能力为中心的战略，形成稳定的利润创造结构。
SK海力士称：“随着人工智能（AI）内存需求的增长，内存市场正在向以高性能、高品质为中心的客户定制型市场转变”，“只要具备在适当时机提供满足客户高要求产品的竞争力，存储器企业也能够稳定获得收益。”
SK海力士表示，尽管通用（传统）DRAM产品价格下滑，但随着HBM等高附加值产品的销售扩大，DRAM平均销售单价（ASP）上涨了10%。公司指出：“已与部分客户启动了关于明年HBM供应量的讨论，预计在今年上半年内将对明年大部分供货量形成可见性”，“考虑到HBM的高投资成本等因素，将维持签订长期合同的结构。”
公司进一步强调：“AI市场在学习、推理功能之外，还将朝着与各类产业相结合、嵌入AI服务的方向发展，具备超出预期的增长潜力”，“从长期来看，HBM需求的增长毋庸置疑。”
在NAND方面，公司计划延续以盈利性为中心的业务运营基调。SK海力士表示：“去年除企业级SSD（eSSD）外一直维持有限生产”，“今后在NAND领域也将在需求改善得到确认之前，维持当前的运营基调，并根据市场情况灵活调整运营，着力推进库存正常化。”
公司接着表示：“今年的投资规模将因用于履行已与客户协商好的HBM供货的投资，以及为获取未来增长基础设施而进行的M15X和龙仁工厂（半导体生产工厂）建设，相比去年投资额有所增加”，“基础设施投资将较前一年大幅增长。”SK海力士目前正在清州建设中的M15X工厂，计划在今年四季度启用；龙仁集群一期工厂则计划从今年开始动工，目标是在2027年二季度投产。
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