MoS2氧化与高介电常数提升电子器件应用潜力
韩国外国语大学22日表示，该校电子物理学系教授 Kim Taegyeong 研究团队利用电力显微镜（EFM）技术，对通过氧化二硫化钼（MoS2）薄膜而生成的三氧化钼（MoO3）纳米结构的介电常数进行了纳米尺度成像，并取得成功。
研究团队通过氧化扫描探针光刻技术（o-SPL）对二硫化钼薄膜进行氧化，制备出了作为高介电常数（high-k）材料而备受关注的三氧化钼纳米结构阵列。在这一过程中，研究团队利用电力显微镜和有限元计算（FEM）方法证明，三氧化钼在不受结构尺寸影响的情况下，仍能保持约25的高介电常数。这一结果突破了既有纳米器件中普遍观测到的尺寸依赖性，被认为有助于提升三氧化钼纳米结构作为下一代纳米电子器件与绝缘材料的应用潜力。
同时，通过高分辨透射电子显微镜（HRTEM）和能量色散X射线谱（EDS）分析，研究团队确认三氧化钼纳米结构处于非晶态。这一发现补充了对非晶三氧化钼的理解，因而在学界引发关注。
该研究成果已于本月13日发表于国际权威学术期刊《Nano Letters》在线版，并在科学技术信息通信部基础研究项目的资助下完成。研究团队计划通过后续研究，更加深入地探索三氧化钼纳米结构所具有的多种物性及其应用可能性。
Kim 教授表示：“三氧化钼纳米结构不仅在电子器件领域，在光学和传感器领域也具有很高的应用价值。本次研究打开了高介电常数纳米材料的可能性，也表明其有望在下一代器件中作为新概念绝缘体加以利用。”
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