UNIST携手全球顶尖学者共议半导体未来…“NVMTS 2024”国际学术会议圆满落幕
半导体材料与部件研究生院探讨非易失性存储器最新技术
20日至23日，全球逾250名专家讨论下一代技术
UNIST（校长 Park Jongrae）与电气与电子工程师协会、电子器件学会、韩国半导体显示技术学会携手，为推动下一代半导体技术发展，与国内外专家集思广益。
由UNIST半导体材料与部件研究生院主办的第22届非易失性存储技术研讨会（The 22nd Non-Volatile Memory Technology Symposium，以下简称“NVMTS 2024”）国际学术会议于20日至23日在釜山天堂酒店举行。本次活动上，国内外专家齐聚一堂，共同探讨新一代半导体技术的未来。
本次学会共有250余名国内外学者以及来自三星电子、SK海力士、美国美光等主要企业的35名国际演讲嘉宾出席。他们围绕Flash、MRAM、PCRAM、RRAM、FeRAM等下一代半导体器件进行了报告，提出了为开发更高速、更高效存储器所需的新工艺及系统应用方案。
“NVMTS 2024”学会参会者在企业展位上直接体验了最新半导体技术。介绍相关专业学生研究成果的“海报展示环节”也同步举行。引领未来的青年人才在此分享创意，展开热烈讨论。
UNIST半导体材料与部件研究生院教授 Jeong Hongsik 在致欢迎辞时强调了存储产业面临的技术瓶颈。他表示：“当今存储产业中，半导体性能每隔一段时间便提升一倍的摩尔定律已走到极限。本次学会以学界和业界的尖端研究为基础，通过全新的非易失性存储技术，为克服这些难题提供了良好契机。”
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