Jusung Engineering向DTC硅电容交付ALD设备：“全球首创技术实力，抢占市场”

Jusung Engineering出货用于DTC硅电容器的原子层沉积（ALD）设备，着手抢占下一代半导体市场。据称，该设备是基于全球首创技术实力开发而成。在人工智能（AI）半导体需求激增、发热、漏电流和噪声问题成为严重风险的背景下，公司通过开发能够降低上述问题并稳定供应电压和电流的ALD设备，抓住了扩大全球订单业绩的机遇。

黄哲柱 Jusung Engineering 会长（上排中间）与公司管理层和员工们17日在京畿道龙仁市研究开发中心完成 DTC 硅电容器原子层沉积设备开发后合影留念。Jusung Engineering 提供

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Jusung Engineering于17日表示，已向硅电容器无晶圆厂（专注设计）企业Elsfes（前身为 Elohim）出货相关设备。

要实现高性能半导体，就必须细化工艺，在有限面积内容纳数百亿个晶体管。随着人工智能（AI）半导体需求增加、半导体集成度提高，发热、漏电流和噪声等问题也随之加剧。

Jusung Engineering表示，硅电容器正作为替代方案受到关注。与现有多层陶瓷电容器（MLCC）相比，DTC硅电容器即使在高温、高频环境下，也能在无噪声的情况下稳定供应电压和电流。

硅电容器与传统多层陶瓷电容器（MLCC）不同，其采用高介电常数（High-K）化合物制成，效率更高。带宽（band width）越大，所需MLCC数量越多；而硅电容器则可以用一个进行替代。因此，可应用于超小型外形尺寸（产品形态）的产品。

为提升硅电容器性能，关键在于将高介电常数层以薄层形式多次沉积在高纵横比（High aspect ratio）结构中。利用Jusung Engineering开发的ALD设备工艺，对High-K化合物进行沉积时，具有可以更加精细且更快速沉积的特点。

Jusung Engineering表示，已将全球首创ALD技术应用到新应用领域——DTC硅电容器。以此为起点，公司计划抢占下一代DTC初期市场，逐步争取全球客户。

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Jusung Engineering相关人士表示：“此次出货DTC硅电容器ALD设备，是依托Jusung长期积累的创新能力和客户信赖所取得的成果”，并称“将抢占下一代半导体初期市场，夯实可持续增长的基础”。

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