三星电子率先量产第9代QLC NAND：“企业级SSD市场领导力凸显”
9代TLC量产仅4个月即推出QLC
读写功耗分别提升30%和50%
三星电子在人工智能（AI）服务器领域率先实现了企业级固态硬盘（eSSD）四层单元（QLC）NAND闪存产品的量产，以应对激增的市场需求。由此扩充了面向AI的固态硬盘产品组合。
三星电子12日表示，已在业内首次实现1Tb（太比特）容量QLC第9代（286层）NAND的量产。继今年4月在业内率先量产“三层单元（TLC）第9代NAND”之后，三星又首次推出QLC产品。QLC能够在一个存储单元中记录4比特数据，较只能记录3比特数据的TLC具有更高性能。
三星第9代V-NAND通过通道孔刻蚀技术和双堆叠结构，实现了业内最高的286层堆叠。尤其是本次第9代QLC产品，将存储单元和外围电路（Peri）的面积压缩至最小，使单位面积可存储的比特数较前一代产品提升约86%，容量相应大幅增加。
随着V-NAND堆叠层数的提高，保持层与层之间以及各层单元特性的均一性愈发重要。为解决这一问题，三星电子在产品中采用了“Designed Mold”技术。该技术通过调节驱动存储单元的字线（WL）间距进行堆叠。应用该技术后，产品的数据保持性能较前代提升约20%。
通过应用“预测编程技术”，相较上一代QLC，写入性能提升100%，数据输入输出速度提升60%。该技术通过预测单元状态变化，将不必要的操作降至最低。
同时，依托低功耗设计技术，读取和写入数据时的功耗分别降低约30%和50%。通过降低驱动NAND存储单元的电压，并仅对所需的位线（BL）进行感测，从而减少电力消耗。位线是负责数据写入和读取的布线。
三星电子存储事业部闪存开发室副社长 Heo Seonghoe 表示：“在量产第9代TLC NAND仅4个月后，我们便成功实现QLC NAND量产，已完全具备AI用高性能·大容量固态硬盘市场所需的最新产品阵容。随着AI市场需求近期在企业级固态硬盘领域的激增，三星电子在该市场的领导力将更加凸显。”
三星电子计划以自有品牌产品为起点，今后将把基于QLC第9代V-NAND的产品应用范围，扩大至移动通用闪存存储装置（UFS）、个人电脑及服务器固态硬盘等领域。
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