首次开发下一代二维材料成形技术
“有望提高二维半导体的商业化可能性”
世宗大学19日表示，半导体系统工学科教授 Eom Taeyong 研究团队在纳米科学及纳米技术领域学术期刊《ACS Nano》上发表了论文。
世宗大学半导体系统工学科教授 Eom Taeyong、KAIST 新材料工学科教授 Kang Kibum、研究员 Park Hyunbin（第一作者）【图片来源=世宗大学提供】
View original image《ACS Nano》被认为是通过高影响力和严格同行评审过程，介绍全球顶尖研究成果的国际权威学术期刊。本次研究由韩国科学技术院新材料工学科教授 Kang Kibum 团队共同参与完成。
研究团队开发出了利用名为“Bi2Se05”、具有高介电常数的物质制备薄膜的方法。Bi2Se05 与石墨烯等二维半导体材料具有优异的接合性，可在下一代二维半导体晶体管中充当绝缘体。尽管具有这些特性，但它完全无法在半导体产业中通常使用的材料层上形成，因此在后续研究中存在困难。
对此，Eom 教授研究团队利用原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition，ALD）研发出了薄且均匀的 Bi2Se05 薄膜。研究团队称，该技术是一种逐个原子沉积以形成薄膜的精密工艺。特别是通过在沉积过程中诱导形成高反应性中间体的化学反应，得以在当前半导体技术中广泛使用的基板上形成具有优异电学特性的 Bi2Se05 薄膜。
Eom 教授研究团队通过研究结果评价称，已为在下一代半导体器件中将 Bi2Se05 用作高介电常数介质材料打开了可能性。此外，由于该物质与现有半导体制造技术的兼容性优异，预计将成为提高二维半导体商业化可能性的重要基础。
Eom 教授表示：“通过此次联合研究，我们首次开发出在薄膜形成过程中有效控制化学反应、从而能够形成下一代二维材料的技术”，“以此为基础，将有助于开发二维半导体晶体管以及利用其实现的单片式三维集成半导体。”
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