SK海力士，研发HBM逾15年：“挖角竞争对手人才纯属无稽之谈”

by Kim Pyeonghwa

Published 27 Jun.2024 16:15(KST)

SK海力士副社长 Park Myeongjae 专访
坚定开拓HBM市场长期推进研发

SK海力士表示，公司之所以能够引领高带宽存储器（HBM）市场，背后有着长达15年以上的长期研发投入。对于外界流传的“原本在竞争对手处的HBM开发团队整体转投公司、共同开发技术”的说法，公司澄清称，这是“毫无根据”的传闻。

SK海力士于27日在公司新闻室刊登了负责HBM设计、因在HBM开发方面的贡献而获得SK集团最高荣誉“2024 SUPEX追求大奖”的SK海力士副社长 Park Myeongjae 的专访，介绍了上述内容。公司方面表示：“HBM真正为世人所知，是在生成式人工智能（AI）于2~3年前开始撼动科技行业格局之后”，并称“因此也出现了将SK海力士HBM视为‘一夜成名’的观点”，但公司强调事实并非如此。

负责HBM设计的SK海力士副社长 Park Myeongjae / [图片来源=SK海力士新闻室提供]

SK海力士自2009年起就开始着手相关技术开发，早在2013年12月首次推出HBM之前便已启动。公司认为，为满足高性能存储器需求，硅通孔（TSV）技术至关重要，经过约4年的开发，于2013年推出了第一代HBM。不过，由于当时HBM尚未真正受到市场关注，在之后几代产品的开发过程中，内部也出现了担忧的声音，延续开发的过程面临不少困难。

Park副社长表示：“2010年代中后期，HBM设计组织被公开称为‘偏远之地’”，他解释说：“公司在开发HBM2的过程中遭遇了困难，最主要的是市场增长远低于预期。”他接着指出：“随着对这一业务的担忧加剧，业界出现了大量悲观论调，但我们坚信，只要开发出最好的产品，能够加以利用的服务自然会随之出现。”他还补充称，这一判断“成为推动包括HBM2E在内的后续产品持续开发的原动力”。

从HBM第三代产品HBM2E开始，SK海力士便以高于外界预期的水平为目标，专注于产品开发。公司通过与相关部门协同攻关，确立了诸如MR-MUF（将半导体芯片堆叠后，在芯片与芯片之间注入液态保护材料并固化的工艺）、HKMG（在动态随机存取存储器晶体管内部绝缘层中使用高介电常数（K）材料，以提升处理速度并降低功耗的下一代工艺）等关键要素技术，并掌握了各类设计与测试技术。

其结果是，在推出第四代产品HBM3的2020年代初期，SK海力士在市场主导权竞争中率先占得先机。Park副社长表示：“当时SK海力士不仅在技术实力方面，在客户关系及品质方面也持续推进创新”，“最终凭借性能与特性全面领先的HBM3，获得了较高的市场占有率，HBM领域第一的地位也得到了确切认可。”他还强调，此后“在今年3月实现HBM3E（第五代HBM）量产后，又率先向客户供应产品”，公司的竞争力得以延续。

有观点认为，竞争对手的HBM开发人力流入SK海力士，强化了公司的HBM竞争力。对此，Park副社长表示：“有一种毫无根据的传闻称，竞争对手的HBM团队整体转到本公司来开发技术”，“对于完全依靠自身力量完成技术开发的本公司成员而言，这样的说法无疑会伤害自尊心。”他接着强调：“当时从竞争对手加入我们HBM设计组织的人，一个都没有。今后我们也将继续努力，保持领先优势。”