三星半导体“Jeon Younghyun号”课题：只有重夺超差距竞争力才能见成效
三星电子半导体负责人 Jeon Younghyun 副会长
存储与系统业务多重课题浮现
HBM周期加快 技术开发须提速
代工需具备先进制程竞争力
随着被评价为缔造三星半导体神话的核心人物——副会长 Jeon Younghyun 接手半导体（DS）部门，业界对即将出现的变革幅度愈发关注。有观点认为，只有在存储器以及系统半导体等所有领域重新找回作为三星“DNA”的“超越式差距”竞争力，才能真正取得成绩。
据半导体业界22日消息，三星电子新任DS部门负责人（副会长）Jeon Younghyun 在21日“单点”人事调整之后，立即着手了解内部业务，打磨战略要点。据悉，他目前尚未向DS部门全体员工传达单独的信息。
业界认为，在 Jeon 副会长被选为三星电子半导体“救火投手”的情况下，他面临的课题并不轻松。除了需要全面焕新组织氛围外，存储器和系统半导体整体业务中暴露出的课题也一并浮出水面。业务占比最高的存储器领域“超越式差距”竞争力有所削弱，而在系统半导体领域，扩大市场份额也颇为困难。
尤其在存储器领域，必须在将多枚DRAM叠加而成、用于人工智能（AI）的高带宽存储器（HBM）市场上，夺回被竞争对手SK海力士抢走的头把交椅。三星电子目前不仅已推出最新一代 HBM3E 的8层产品，还推出了12层产品。公司正在为向HBM市场“大客户”——美国英伟达供应产品而进行质量验证（Qualification Test）。由于HBM需求已经超过供应，业界甚至流传出“三星在质量验证之前已部分供货”的说法，但由于尚无正式供货发布，相关市场关注度极高。
市场调研机构TrendForce认为，今年DRAM市场销售额中，HBM所占比重为21%，明年有望提高至30%以上。也就是说，只有在HBM市场提升份额，企业业绩才能增长，同时也有助于提升在DRAM市场的业务竞争力和市场占有率。尤其是，随着不仅三星电子，连SK海力士都将下一代产品HBM4的量产时间指向明年，产品更替周期正在加快，技术开发也随之提速。
一位业界相关人士表示：“要提升HBM的良率（成品中合格品比例），不仅要在产品开发上发力，还必须同步强化制造技术开发”，“随着HBM更替周期加快，如果三星电子能够重新找回过去的超越式差距能力，我认为其在市场上将有望取得更出色的成绩。”
在系统半导体领域，三星需要在设计和代工（晶圆代工）两大市场同步提升份额，从而实现“2030年系统半导体全球第一”的愿景。此前，三星电子会长 Lee Jae-yong 于2019年提出这一愿景，明确表示不仅要做大公司主力业务存储器，还要壮大系统半导体业务。但业界普遍认为，以当前情况来看，要如期实现这一愿景并不容易。
特别是在晶圆代工领域，第一大企业——台湾台积电的市场份额已超过60%，而三星电子的市场份额则在去年第四季度降至约11%。与此同时，英特尔在2021年宣布重返晶圆代工市场后，正以极快速度扩张业务，竞争进一步加剧。尤其是英特尔从今年起调整会计准则，决定将自有产品的内部生产也计入晶圆代工营收，在营收数据层面已超过三星电子，市场格局正快速变化。
业界认为，在这种情况下，若三星电子要提升晶圆代工竞争力，最终必须在先进制程上决胜负。在预计明年正式进入2纳米（1纳米=十亿分之一米）时代之际，三星须在比竞争对手更早导入至3纳米制程的环绕栅极（GAA）技术上巩固优势，并提升良率。同时，如何充实可提升三星晶圆代工吸引力的设计资产（IP）和半导体设计自动化（EDA）工具等资源，也是重要课题。
一位业界相关人士表示：“副会长 Jeon Younghyun 在业界被评价为兼具技术、经验与诀窍的全能型专家”，“他必须全力以赴，在化解公司内外忧虑的同时，迅速完成各项课题，积极寻找未来新的增长动能。”
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