HBM明年价格继续上涨…占DRAM营收超30%

by Kim Pyeonghwa

Published 07 May.2024 10:31(KST)

HBM供应商提价5%至10%
受AI利好影响下游普遍接受涨价
HBM需求增速今年接近200%
HBM3E时代…SK hynix与三星如何应对

在人工智能（AI）热潮带动下，高带宽内存（HBM）需求持续攀升，有观点认为这一趋势将推动HBM价格涨势延续至明年。由于HBM属于高附加值产品，其在整体DRAM市场中所占销售额比重也有望在明年跃升至30%以上。SK海力士和三星电子正全力扩大HBM供应，以应对这类需求。

7日，市场调研机构TrendForce表示：“HBM市场在可观的价格溢价以及与AI半导体相关的容量需求增加推动下，将呈现稳健增长势头”，“HBM的销售单价约为双倍数据速率（DDR）5 DRAM的5倍，这样的定价叠加单一设备中提升HBM容量的AI半导体技术，将在2025年前显著提高HBM在DRAM市场中的占有率”。

TrendForce预计，在整体DRAM市场中，按比特（容量）计算，HBM的占比将从去年2%提升至今年5%，并在明年突破10%。按销售额计算，其占比将从去年的8%升至今年的21%，明年则有望进一步提高到30%以上。由于HBM是高附加值产品，其销售额占比将快速上升。

HBM需求增幅今年预计将接近200%，明年也可能再翻一番。随着需求快速增长，HBM价格预计在明年仍将维持上涨趋势。TrendForce认为，HBM供应商在明年的产品价格谈判中将掌握主导权，并有望获得预期成果。

明年的HBM价格谈判已经启动。在明年DRAM产能有限的背景下，供应商已事先将HBM价格上调5%至10%。TrendForce判断，HBM采购方对AI需求前景抱有较高信心，因此正在接受持续性的价格上调。

TrendForce还指出，由于第五代HBM产品HBM3E的硅通孔（TSV）良率仅在40%至60%之间，仍有改善空间；同时，并非所有HBM供应商都已通过HBM3E的客户认证，因此从采购方确保获得优质产品的角度来看，只能接受更高价格等因素，HBM价格上涨的趋势将会持续。

明年HBM市场中的主力产品预计将是HBM3E。TrendForce表示：“HBM规格需求将向HBM3E转移，12层堆叠产品的需求将会增加”，“这一变化将提升单颗芯片的HBM容量”。不仅英伟达的B100和GB200，AMD的MI350、MI375等下半年之后推出的AI半导体新品也预计将采用HBM3E 8层和12层堆叠产品。