Kwon Eonoh SK海力士副社长：“HBM将走向专业化、定制化”
“HBM，技术最密集的DRAM”
“今后，高带宽内存（HBM）将被打造成承载客户所需价值的产品，走向专业化（Specialized）和客户定制化（Customized）。”
SK海力士副社长 Kwon Eoneo 28日通过公司新闻室采访作出上述表示。负责完成SK海力士HBM技术路线图这一重任的他称：“人工智能（AI）带来的变化前所未有地巨大而猛烈”，“将怀着自豪感和责任感，不断提升HBM技术实力”。
SK海力士通过去年年底实施的组织改编和高管人事调整，新设“AI基础设施（Infra）”组织，以强化AI时代的业务竞争力。其下属HBM PI部门的新任负责人选定为权副社长。
权副社长在担任DRAM开发研究委员期间，于2022年在全球首次将下一代工艺“高K金属栅极（HKMG）”导入移动用DRAM——低功耗双倍数据速率（LPDDR），带动了最新LPDDR DRAM性能的升级。
权副社长评价称：“HBM是一种依托艰深复杂的前沿技术而诞生的产品，可以说是技术最为密集的DRAM。”他表示，HBM引发了系统半导体与存储半导体的融合，其魅力巨大，因此正全力投入技术创新。
权副社长表示：“进入AI时代后，正在持续出现我们从未经历过水平的快速变化，现在比任何时候都更需要预判变化并灵活应对。”他接着说：“为引领AI时代、延续行业第一的技术实力，我们正致力于要素技术创新以及支撑快速产品化的技术开发，并通过与客户及外部合作伙伴积极沟通，推进协作。”
他还表示：“今后，AI用存储器除了像目前这样用于数据中心之外，还将扩展为根据特定用途提升性能和效率的专用集成电路（ASIC）形态，或针对客户产品进行最优化的端侧设备（在终端设备上运行AI的方式）形态”，“不仅HBM，各种类型的DRAM也都会作为AI用存储器被采用。”
权副社长表示：“在各方对SK海力士HBM产品寄予厚望的关键时刻，我肩负起重任”，“将以开发出世界顶级HBM的成员们的经验和挑战精神为基础，竭尽全力实现下一代技术创新。”
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