SK海力士关注美国封装工厂…Gwak Nojeong：“将保持HBM竞争力”
《华尔街日报》称美国印第安纳州选址已敲定
SK海力士回应：“尚未最终确定”
通过股东大会表示“将保持HBM竞争力”
有当地媒体报道称，SK海力士将在美国印第安纳州建设先进封装工厂。SK海力士则坚持表示，目前尚未作出任何决定。SK海力士通过股东大会表示，将在人工智能（AI）时代强化其高带宽存储器（HBM）竞争力。
《华尔街日报》（The Wall Street Journal）26日（当地时间）援引当地消息人士的话报道称，SK海力士将在美国印第安纳州西部的西拉法叶建设先进半导体封装工厂。报道还称，SK海力士将投资40亿美元建设该工厂，并于2028年开始投产，同时补充称，相关决定即将获得董事会批准。
据外媒报道，SK海力士原本计划在亚利桑那州建设该工厂，但考虑到在人才获取方面的优势，最终选择了印第安纳州。印第安纳州西拉法叶拥有美国规模最大的半导体及微电子工程项目之一——普渡大学。
对于此次外媒报道，SK海力士表示，目前“正在审查厂址选定事宜，但尚未最终确定”。不过，由于该封装工厂的重要性较高，有关选址的外媒报道不断出现。英国《金融时报》本月也曾报道，SK海力士已在印第安纳州选定半导体封装工厂的厂址。
半导体业界内外普遍认为，SK海力士将通过在美国建设的这座先进半导体封装工厂，强化其作为AI用存储器半导体——HBM的竞争力。美国半导体咨询公司SemiAnalysis的首席研究员Dylan Patel预计称：“SK海力士的工厂将成为美国首个面向大规模HBM封装的主要设施。”
SK海力士27日在京畿道利川园区总部召开第76届股东大会，就董事选任、财务报表批准、章程变更等8项议案进行表决。新任社外董事为半导体专家、延世大学教授Son Hyunchul，以及会计与财务专家、东国大学教授Yang Donghun。公司内部董事方面，由于副会长Park Jungho任期届满，将由负责解决方案开发的安炫接任。
SK海力士社长Kwak Nohjung当天强调称：“虽然去年全年录得亏损，但通过应对AI用存储器需求和削减成本，我们每个季度都在缩小亏损幅度”，“最终在去年第四季度，实现了存储器行业内首次扭亏为盈。”
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他还表示：“今年存储器市场正走出低迷，随着需求改善和供给稳定，市场正在复苏。”他接着称：“存储器市场的复苏很大程度上受AI影响，AI服务越是向多模态进化，存储器容量就会大幅扩大”，“公司将在市场上保持HBM竞争力。”
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