SK海力士在中国NAND论坛首次发表主题演讲，发布先进3D工艺

据确认，SK海力士将首次参加将于下月20日在中国深圳举行的“CFMS（China Flash Market Summit 2024，中国闪存市场峰会2024）”并发表主题演讲。三星电子也将进行主题演讲。两家公司均由副社长级高管就3D NAND等尖端工艺进行发布。

20日据半导体业界采访结果显示，SK海力士解决方案开发担当副社长 Ahn Hyun、三星电子半导体事业（DS）部门解决方案产品工程担当副社长 Oh Hwasuk 等人，将在下月于中国深圳举行的CFMS上进行主题演讲。Ahn副社长预计将就3D NAND技术、面向400层级NAND的混合键合技术等进行发布，Oh副社长也将发表与技术相关的内容。

与NAND相关的最高级别大会是每年8月在美国西雅图举行的“FMS（Flash Memory Summit，闪存峰会）”。CFMS自2017年开始举办，虽然影响力尚不及FMS，但正逐步受到关注，成为与NAND相关的重要峰会。本次CFMS除三星电子、SK海力士外，美国美光、英特尔，日本铠侠，中国长江存储等企业也将参会。

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近期虽然NAND市况正在回暖，但半导体业界的方针是，必须时刻防范因美中矛盾带来的中国通商风险。尤其对在华业务占比较大的SK海力士而言，通商风险管理尤为迫切。SK海力士在大连的NAND工厂Solidigm（原英特尔NAND事业部）生产了全公司约30%的NAND产品。

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此前在去年第四季度业绩发布电话会议上，公司曾表示：“无锡晶圆厂最终将通过向1a纳米（nanometer，10亿分之一米）工艺转型，实现DDR（Double Data Rate，双倍数据速率）5、LPDDR（Low Power Double Data Rate，低功耗双倍数据速率）5等产品的量产”，并称“正考虑尽可能延长工厂的使用年限”。1a DRAM是第四代10纳米级DRAM，在目前已知工艺中属于尖端制程。

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