[电话会议]三星半导体明年将扩大HBM供应：“已完成与客户协商”(综合)

三星电子将把用于人工智能（AI）的存储器半导体“高带宽存储器（HBM）”供应量提升至业内最高水平。就明年HBM供应，已与客户完成协商，将以最新产品HBM3和HBM3E为核心，积极扩大业务规模。预计明年HBM整体供应量中，HBM3的占比将超过一半。

三星电子在31日第三季度业绩发布后的电话会议上表示：“正在积极扩大HBM3和HBM3E新产品业务”，并称“为在明年保持HBM供应能力处于业内最高水平，将在今年基础上确保超过2.5倍的供应量”。就此还说明称，“已就相关供应量与主要客户就明年供应达成一致”。

高空俯瞰的三星电子平泽园区。航空拍摄协助=首尔警察厅航空队，飞行员：警卫 新承浩、警卫 朴志桓，机组成员：警卫 朴相镇 提供 照片=记者 姜珍炯 aymsdream@

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HBM是通过叠加多片DRAM以提升数据处理速度的高性能存储器。受近期生成式AI热潮影响，市场需求已超过供应。三星电子目前正在量产HBM3，并计划在第四季度扩大客户群，正式推进销售。通过这一举措，明年上半年将把HBM3在整体HBM销售量中的占比提高到过半。

在最新产品HBM3E的业务推进方面也将加快步伐。三星电子存储器事业部副社长Kim Jaejun表示，“已开始供应速度为9.6Gbps、容量为24GB的样品，计划于明年上半年启动量产”，并称“36GB产品也在准备于明年第一季度提供样品”。他还表示，“计划在明年下半年通过快速转向HBM3E，来应对不断提升的AI市场需求”。

对于明年存储器市场，三星电子给出了积极展望。随着市场库存回归正常，用于AI的产品需求增加，加之个人电脑和移动设备大容量化趋势带动需求上升，价格有望上涨。在供应方面，随着行业减产以及近期行业设备投资（CAPEX）规模缩减，预计产品供应将受到一定限制。同时也表示，投资正集中流向HBM。

目前三星电子正在减少DRAM和NAND的产量。为在短期内使库存恢复正常，今后还将通过追加选择性生产调整等方式持续减产。尤其是在NAND方面，将进一步加大减产幅度。不过，基于为确保中长期竞争力而维持的资本支出，计划持续提高先进制程产品的供应占比。

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在NAND方面，为提升盈利能力，也将加大向先进制程转型的力度。Kim副社长表示：“将成本和产品竞争力置于优先位置，加快向V7、V8等先进制程的转型。”他还解释称：“近期获得了美国政府的VEU（验证最终用户）认证，从而在中国西安工厂的工艺转型方面，相关不确定性已在很大程度上得到消除。”

在晶圆代工（半导体代工生产）业务方面，将增加对先进制程的投资，并扩大在生成式AI领域的业务。三星电子晶圆代工事业部在第三季度受高性能计算（HPC）业务拉动，单季接单金额创下历史新高。为满足先进制程需求，正以平泽园区和美国泰勒工厂为中心进行投资，计划将今年的投资规模提高到超过去年水平。

三星电子晶圆代工事业部副社长Jeong Gibong表示：“基于大型语言模型（LLM）的生成式AI需求激增，数据中心AI加速器模块供应持续紧张”，并解释称：“将围绕作为主要构成要素且出现瓶颈的HBM和2.5D封装，迅速扩大供应能力，并根据后续供需情况进行监测和扩产。”

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三星电子第三季度实现销售额67.4万亿韩元，营业利润2.43万亿韩元。随着旗舰智能手机新品发布以及显示器高端产品销售增加，弥补了今年持续亏损的半导体（DS部门）业务疲弱。DS部门第三季度录得3.75万亿韩元营业亏损，较第一季度（4.58万亿韩元）和第二季度（4.36万亿韩元）缩小了亏损幅度。

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