专注于电力半导体用碳化硅(SiC)晶锭及晶圆的专业企业Saenic于16日表示,在上月于意大利索伦托举行的“国际碳化硅学术会议(ICSCRM 2023)”上,发布了将自身的晶圆加工工艺技术与Akratek Korea的设备技术相结合开发出的新型研磨机及化学机械抛光(CMP)技术。


SiC相较于硅(Si)具有出色的耐久性,在高温、高电压环境下使用更具优势,是新一代半导体材料。CMP(Chemical Mechanical Polishing,化学机械抛光)是指对SiC表面的微小凹凸进行平坦化(抛光)的工艺。


Saenic表示,在本次会议上,公司发布了利用适用于6英寸、8英寸SiC的加工设备开展实证测试并取得成功的成果,吸引了全球SiC相关人士的高度关注。


SiC虽然电力效率高且耐久性优异,但价格昂贵一直被视为其缺点。Saenic和Akratek Korea强调,基于SiC专用高强度研磨机及CMP技术,有望提升成本竞争力,从而弥补SiC材料的这一不足。


Akratek Korea代表Lee Sangcheol表示:“高强度研磨机及CMP设备由于其特性,在量产方面效率出众,有望成为新的主力产品线。与现有工艺效率相比,量产良率可望提升50%,预计将被国内外SiC相关企业所采用。”



另一方面,据市场调研机构TrendForce称,全球SiC市场规模预计将从2023年的22.75亿美元(约3万亿韩元)扩大到2026年的53.28亿美元(约7万亿韩元)。


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