7月DRAM跌价幅度收窄…部分NAND现货价开始走强
PC用DDR4 DRAM合约价跌幅收窄
追加减产宣布后部分NAND现货价上涨
高附加值HBM、DDR5引领行业复苏预期
在人工智能（AI）效应带动下，高附加值D-RAM需求不断增加，与此同时，PC用通用D-RAM价格的跌幅正在收窄。继存储半导体行业传出进一步减产消息后，部分NAND闪存价格已重回回升轨道。业内预计，从下半年起，以D-RAM为中心的景气复苏将正式展开。
市场调研机构D-RAMeXchange于31日表示，用于PC的双倍数据速率（DDR）4 D-RAM（8Gb 1Gx8）本月固定交易价格（企业间合约价）较上月下跌1.47%，为1.34美元。该产品价格自4月以来已连续4个月下滑。不过，跌幅正逐月收窄：4月为19.89%，5月为3.45%，6月为2.86%。在近期DDR5等高附加值D-RAM需求增加、半导体“触底论”升温的背景下，DDR4 D-RAM产品的价格跌幅也在缩小。
用于存储卡和USB的NAND闪存（128Gb 16Gx8）本月固定交易价格为3.82美元，自4月以来一直维持同一价格。部分产品的现货价格（在代理商等渠道进行的以实际需求方为主的交易价格）已于28日转为上涨。截至31日下午，单层单元（SLC）NAND（8Gb 1GBx8）价格较前一日上涨0.15%，三维三层单元（3D TLC）NAND（512Gb）上涨0.18%。在三星电子（27日）和SK hynix（26日）公布追加削减NAND产量计划之后，此前持平的现货价格开始蠢蠢欲动。业内通常更关注固定交易价格，但鉴于现货价格走势会在日后反映到固定合约价中，因此被视为市场的先行指标。
半导体行业认为，下半年有望以高附加值D-RAM为中心，迎来景气复苏的全面启动。这是因为高带宽存储器（HBM）和DDR5等面向人工智能（AI）的D-RAM需求正在快速增加，价格也被看好将进入上升通道。市场调研机构TrendForce预计，第三季度DDR5 D-RAM价格将较上一季度上涨0%至5%。其还预测，DDR5价格相较DDR4，溢价幅度可能从第二季度的15%扩大至第三季度的20%以上。HBM的价格虽然比普通D-RAM高出6倍以上，但由于市场上需求大于供给，价格仍有进一步上升的空间。
证券业界认为，目前处于亏损状态的三星电子和SK hynix，得益于上述需求，有望在年内实现D-RAM业务扭亏为盈。韩国投资证券研究员Chae Minsuk表示：“随着（三星电子）第三季度D-RAM业务扭亏为盈，存储器行业将进入完整的上升周期”，“在第三季度步入季节性旺季的同时，通过减产实现的供给调节效果将叠加显现，存储器供需有望快速改善。”BNK投资证券研究员Lee Minhui也表示：“预计从第三季度起，（SK hynix）D-RAM业务将实现扭亏为盈。”
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