2016至2023年国家核心技术外流47起
大法院决定从重量刑技术泄露犯罪
三星电子前任高管企图窃取三星电子半导体工厂设计资料，在中国建设“复制工厂”时被查获，尖端技术向海外外流的问题由此再度被推上风口浪尖。
曾任三星电子常务兼海力士半导体副社长的崔某，因涉嫌窃取三星电子营业秘密——半导体工厂BED（基础工程数据）、工艺布局图及工厂设计图纸等，用于在中国建设复制工厂，已于本月12日被检方逮捕并起诉。
半导体工厂BED是一项为半导体制造空间营造无杂质存在的最优环境的技术，而工艺布局图则是载明用于半导体生产的8大核心工艺的布局、面积等信息的图纸。
这些技术属于应用于笔记本电脑和手机的30纳米以下级别动态随机存取存储器（DRAM）及闪存（NAND Flash）半导体工艺技术，根据《产业技术保护法》第2条规定，被指定为国家核心技术。如果复制版工厂真的建成，预计韩国半导体产业竞争力将遭受巨大打击。
5月31日，在京畿高阳KINTEX举行的“2023大韩民国高中毕业人才招聘博览会”上，参加活动的高中生正在听取有关半导体工艺的讲解。照片=记者Kang Jinhyung aymsdream@
View original image韩国半导体产业协会专务安基贤14日在SBS广播电台《Kim Taehyun的政治秀》节目中指出：“一旦出现竞争，技术差距就会缩小，而技术差距缩小的同时，我们的相对技术竞争力就会下降”，“从长期来看，（中国）可能会形成一种能够超越我们技术的环境”。
安专务就崔某企图泄露技术一事表示：“从国家和产业层面本应对其加以包容，但未能做到这一点，令人惋惜”，“因为那位人士本来就是面向中国从事支持半导体产业、半导体技术的相关业务，所以我认为才会发展到这一步”。
实际上，为了获取韩国半导体核心人才，中国方面持续以高额年薪为条件进行挖角，通过工程师泄露核心技术的事件也频繁发生。
据产业通商资源部向共同民主党议员任五炅办公室提交的资料显示，从2016年至去年，半导体、电机电子、造船、显示面板等领域产业技术海外流出被查获案件共计142起。尤其是在这些产业技术中，被指定为国家核心技术的海外流出案件自2016年至今年共有47起。
安专务建议称：“首先要让这些人士能够怀着自豪感工作”，“其次，我认为应当让他们在韩国掌握的技术能力，能够在韩国长期转化为就业岗位”。
另一方面，由于包括半导体在内的尖端技术海外流出问题屡次发生，大法院量刑委员会决定强化对技术泄露犯罪的量刑标准。量刑委员会的方针是于明年4月前完成技术泄露犯罪量刑标准的修订工作。
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